1) poly plant
多晶硅制造装置
2) open tube poly
开管法制造的多晶硅
3) multicrystalline silicon
铸造多晶硅
1.
The grain boundary(GB) character and recombination activity of grain boundaries(GBs) in multicrystalline silicon(mc-Si) were studied by means of electron back-scattered diffraction(EBSD) and electron-beam-induced current(EBIC) techniques.
利用电子背散射衍射(electron back-scattered diffraction,EBSD)和电子束诱生电流(electron beam induced cur-rent,EBIC)技术对铸造多晶硅的晶界类型和晶界复合特性进行了研究。
2.
The mechanism of precipitation of copper in multicrystalline silicon (mc-Si) and Czochraski silicon (Cz -Si) under different thermal treatment was investigated by means of Electron Beam Induced Current (EBIC) in this paper.
利用电子束诱生电流(EBIC)研究了不同热处理条件下太阳电池用铸造多晶硅材料中的铜的沉淀特性, 并与铜在普通直拉硅单晶中的沉淀行为进行了比较。
3.
The recombination activity of grain boundaries (GBs) in casting multicrystalline silicon (mc-Si) was investigated through an electron beam induced current (EBIC) technique.
本文利用电子束诱生电流(EBIC)对铸造多晶硅中晶界的复合特性进行了研究。
4) cast multicrystalline silicon
铸造多晶硅
1.
The formation behavior of thermal donors (TD) in cast multicrystalline silicon was investigated by the means of four-probe resistivity measurement and Fourier transmission infrared spectroscopy (FTIR).
采用四探针电阻率测试仪和傅立叶红外光谱测试仪,研究了铸造多晶硅中热施主的形成规律。
2.
Oxygen precipitation in cast multicrystalline silicon experienced one-step annealing was investigated.
研究了铸造多晶硅中不同温度单步退火下氧沉淀的形成规律。
3.
The effect of phosphorus gettering or hydrogen passivation on the electrical properties of cast multicrystalline silicon contaminated by iron at different temperatures is investigated by microwave photo conductive decay.
应用微波光电导衰减仪的方法研究了在不同温度情况下引入铁沾污后再分别进行磷吸杂和等离子体增强化学气相沉积钝化处理对铸造多晶硅片电学性能的影响。
6) fabricating polycrystalline silicon thin film
多晶硅薄膜制备
补充资料：硅多晶的硅烷法制备
硅多晶的硅烷法制备
polycrystalline silicon manufacture by silane process
gUIdUOJIng de gu一Wanfa zh一bei硅多晶的硅烷法制备(polyerystalline silieonmanufaeture by silane proeess)以甲硅烷作.介质的硅材料超提纯技术。是硅多晶的重要生产方法之一。其实质是先用硅粉或硅的化合物制成甲硅烷(SIH小然后用精馏等方法进行提纯，将纯SIH4经热分解siH;干里止篷些生51+2H2而得硅多晶。siH、无腐蚀性，热分解温度低且分解率高，故此法所得硅多晶的纯度高，产率高;但因SIH魂易燃易爆，需采取专门措施。 2。世纪50年代，一些厂家曾试图用硅烷法制造硅多晶，均因未解决好爆炸问题而被迫停产。首先实行稳定生产的是日本小松电子金属公司与石嫁研究所合作开发的以硅化镁作原料的工艺。其反应式为: NH。 MgZSi+4NH;CI一SIH4个斗ZMgC12+4NH:个 siH。再经低温精馏，然后经热分解得硅多晶棒。由于合成过程中有NH3存在，在以下工序的设备上装有真空夹套，较彻底地解决了燃烧与爆炸问题。此法于1960年开始生产，硅多晶的纯度优于西门子法(见硅多晶的西门子法制备)，其硼含量一般小于千亿分之一。但由于成本高等原因，其生产规模停滞在很小的水平上。 美国联合碳化物(UCC)公司研究成功了新硅烷法，使成本大幅度降低，并于1985年正式投产。此法利用如下合成和歧化反应获得硅烷: 51+2H2+3SICI;一4SIHC13 65爪HC13一3SIHZC12十3SICI咋 4SIHZC12一ZSIH3CI+ZSIHC13 3SIH3CI一SIHZCI:+SIH、 整个过程是闭路，一方投入硅与氢，另一方获得硅烷，因此排出物少，对生态环境有利，同时材料的利用率高。硅多晶的纯度高，其硼含量同样小于千亿分之一。产品多用于制备区熔硅单晶，包括辐射探测器用硅单晶(见辐射探测器用锗单晶和辐射探刚器用硅单晶)，也用于优质直拉硅单晶(见半导体硅材料)的制备。 美国埃西尔(Ethyl)公司利用磷肥生产的副产品制成硅烷，经提纯后进入流态化床进行热分解，制成平均粒径为0.7~。.75mm的颗粒状硅多晶，其硼含量小于0.3ppba，已批量生产。这种产品已用于硅的直拉法单晶生长，有可能用于正在开发的连续直拉法单晶生长。 (万群)
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参考词条