3) LEC
液封直拉
1.
Controlling the growth parameters to achieve a single crystal is the importance in highpressure liquid-encapsulated Czochralski(LEC) growth of large diameter GaP crystal.
用高压液封直拉法制备大直径GaP单晶重要的是控制拉制参数,如埚位、氧化硼厚度、热场、晶体坩埚直径比等。
2.
Some key factors to growing InP single crystals by HP-LEC method were discussed,such as heater,heat-preservation system,dopant,crucible,growth parameters and so on.
通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程中的几个重要因素包括加热器和保温系统、掺杂剂、坩埚和生长参数等的分析,设计了合适的热场系统和生长条件,有效地降低了孪晶产生的几率。
4) Liquid Encapsulant Czochralski Method
液封提拉法
5) PMCZ
永磁场直拉(PMCZ)炉
6) field acceleration method
磁场加速法
1.
The substance analysis of field acceleration method is given in the light of principle of equal in wine of circuit and show that the field acceleration method is the special example of transient circuit theory.
用电磁等价原理分析了磁场加速法的电路实质，表明磁场加速法原理实际上是电路突变响应理论的一个特例。
补充资料：施加
1.给予。
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参考词条