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1)  double poly process
双层多晶硅栅金属氧化物半导体工艺
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2)  double level polysilicon mos structure
双层多晶硅金属氧化物半导体结构
例句>>
3)  poly squared cmos
双层多晶硅互补金属氧化物半导体
例句>>
4)  polycrystalline silicon gate mos
多晶硅栅金属氧化物半导体
例句>>
5)  UMOS
U形多晶硅栅金属氧化物半导体
6)  floating gate silicon process
浮栅硅金属氧化物半导体工艺
例句>>
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8

性质：暂无

制备方法：暂无

用途：用于轻、中度原发性高血压。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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