3) stacked-gate avalanche injection type MOS
叠栅雪崩注入金属氧化物半导体
4) FAMOS (Floating C gate Avalanche injection MOS)
浮动栅雪崩注入型金属氧化物半导体
5) SAMOS (stacked-gate avalanche injection type MOS)
叠栅雪崩注入[型]金属氧化物半导体[器件]
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条