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1)  double ion implanted process
双重离子注入工艺
2)  ion implantation doping
离子注入工艺
3)  Heavy ion implantation
重离子注入
4)  dual ion implantation
双离子注入
5)  dual-ion implantation
离子双注入
6)  Low energy heavy ion implantation
低能重离子注入
补充资料:离子注入工艺
分子式:
CAS号:

性质:又称离子掺杂工艺,离子注入工艺。指在加速电场作用下,将掺杂用离子束注入被掺杂体内的掺杂方法。这种掺杂方法的目的有两个,其一是利用注入离子实现绝缘型高分子的极化,制备高分子驻极体;其二是利用注入离子与被掺杂材料分子的相互作用,改变其荷电状态,从而增加载流子密度,提高导电性能。离子注入具有许多优点:掺杂温度较低;掺杂浓度可控;掺杂区清晰;能实现大面积均匀掺杂;可在半导体内形成各种复杂的结构;适用于浅结扩散。掺杂剂种类较多,通常有三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、三氯化硼、磷烷、砷烷、乙硼烷等

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