1) interplanar spacing
晶面距离
2) interplanar crystal spacing
晶面距离<冶>
3) crystal plane
晶面
1.
Silver gets (200) and (111) preferred orientation in stainless steel and TiN of crystal plane respectively.
银在不锈钢和TiN膜上的晶面择优取向分别为(200),(111)。
4) Crystal face
晶面
1.
In this paper,the relationship between the crystal face index and the film quality in the vapor epitaxial growth of single crystal diamond film is analyzed,and it points out that the key factor which insures the film quality is to control the experimental conditions.
分析了气相同质外延单晶金刚石膜中晶面指数与薄膜品质的关系 ,指出了控制实验条件是确保各晶面薄膜品质的关键 。
5) crystal faces
晶面
6) crystallographic plane
晶面
7) face
晶面
8) crystal planes
晶面
9) orientation
晶面取向
1.
Effect of Triangle Pulse Electric Current on the Orientation in Al-Si Near-eutectic Alloy;
三角波脉冲电流对近共晶Al-Si合金晶面取向的影响
2.
XRD measurement was used to study the effect of sputtering parameters on the orientation of Cr underlayers.
利用X射线衍射法对Cr底层晶面取向和磁控溅射参数之间的关系进行了研究 ,结果表明 :如果改变溅射参数 ,使沉积Cr原子获得较大的能量 ,则有利于Cr底层最终以 ( 110 )晶面择优取向。
10) interplanar spacing
晶面距
1.
The results show that the wax crystals separated from crude oil are orthorhombic crystals whose interplanar spacing is 0.
分离出的蜡结晶为正交晶型的晶体,晶面距为0。
补充资料：晶面
晶体在自发生长过程中可发育出由不同取向的平面所组成的多面体外形，这些多面体外形中的平面称为晶面。特定取向的晶面必定与晶体中对应的一组互相平行的平面点阵相平行。可以规定一套整数hkl来反映某特定晶面及其相应平面点阵组的取向，这一套整数称为晶面指标。晶面(或平面点阵组)指标的严格定义是晶面在三个晶轴上的倒易截数之比。设a、b、c为晶体的一套基向量，晶面在a轴、b轴、c轴上所截长度分别为ra、sb、tc,则r、s、t为晶面在三个晶轴上的截数，而为倒易截数。将晶面在三个晶轴上倒易截数之比化为一组互质整数,即则这一套互质整数即为晶面指标,用(hkl)符号来表示。图中示出金属铜单晶的晶面指标及其相应取向。
晶体在实际生长过程中，基于能量的原因，一般是指标小的晶面较易在晶体的外形中呈现出来。不同指标、不同取向的晶面由于原子、离子、分子排列上的差异，将具有不同的物理和化学性质，这是晶体各向异性的一种表现。
晶面间距定义为与晶面对应的平面点阵组中相邻平面点阵的垂直距离。如对具有简单立方点阵型式的晶体，指标为hkl的晶面间距dhkl与晶胞参数a有dhkl＝的关系。对于具有带心点阵型式的晶体，计算dhkl值时要作一定的修正。
晶体在实际生长过程中，基于能量的原因，一般是指标小的晶面较易在晶体的外形中呈现出来。不同指标、不同取向的晶面由于原子、离子、分子排列上的差异，将具有不同的物理和化学性质，这是晶体各向异性的一种表现。
晶面间距定义为与晶面对应的平面点阵组中相邻平面点阵的垂直距离。如对具有简单立方点阵型式的晶体，指标为hkl的晶面间距dhkl与晶胞参数a有dhkl＝的关系。对于具有带心点阵型式的晶体，计算dhkl值时要作一定的修正。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条