1) Anisotropic lattice plane
异向晶面
2) Crystalloplanar anisotropy
晶面各向异性
3) planar magnetocrystalline anisotropy
平面型磁晶各向异性
4) orientation
[英][,ɔ:riən'teɪʃn] [美]['ɔrɪən'teʃən]
晶面取向
1.
Effect of Triangle Pulse Electric Current on the Orientation in Al-Si Near-eutectic Alloy;
三角波脉冲电流对近共晶Al-Si合金晶面取向的影响
2.
XRD measurement was used to study the effect of sputtering parameters on the orientation of Cr underlayers.
利用X射线衍射法对Cr底层晶面取向和磁控溅射参数之间的关系进行了研究 ,结果表明 :如果改变溅射参数 ,使沉积Cr原子获得较大的能量 ,则有利于Cr底层最终以 ( 110 )晶面择优取向。
5) crystal orientation
晶面取向
1.
The effects of ultrasound on the crystal orientation and surface morphology were discussed in the copper electrochemical reduction.
测定了超声作用下铜电化学沉积过程的阴极稳态极化曲线,探讨了超声对沉积铜晶面取向及表面形貌的影响。
2.
In this paper,we studied the effect of additives Cl -,glue,(NH 2) 2CS on the cathodic copper deposition reaction in the electrolysis copper system of high bismuth by steady state method,and studied the effect of additives on the chemical composition and crystal orientation of the cathodic copper deposition by AA,SEM and XRD.
用ＡＡ、ＳＥＭ、ＸＲＤ等仪器研究了添加剂对阴极铜沉积的组成和晶面取向的影响。
3.
In this paper,we studied the electrocrystal formation,crystal orientation and the chemical composition of the cathodic copper deposition with the presence of Bi~3+ in the electrolyte of acidified CuSO4 by using scan electron microscopy,Xray diffraction,atomic absorption and EDAX.
文章用扫描电镜、Ｘ射线衍射仪、原子吸收光度计和Ｘ射线色散能谱等仪器，研究了含有铋离子的酸性硫酸铜电解液中阴极铜沉积的电结晶生长形态、结晶的晶面取向以及铜沉积层的化学组成。
6) Magneto-Crystalline Anisotropy Energy
磁晶各向异性能
1.
Simulation of Magneto-Crystalline Anisotropy Energy of Cold Rolled Non-Oriented Silicon Steel;
冷轧无取向硅钢的磁晶各向异性能的模拟
2.
The relationship between the different direction magnetic properties(B8) ,texture and the magneto-crystalline anisotropy energy(EK) of a doubly oriented Si steel has been investigated.
研究了一种双取向硅钢不同方向的磁感(B8)及其与织构和磁晶各向异性能(EK)之间的关系。
补充资料：晶面
晶体在自发生长过程中可发育出由不同取向的平面所组成的多面体外形，这些多面体外形中的平面称为晶面。特定取向的晶面必定与晶体中对应的一组互相平行的平面点阵相平行。可以规定一套整数hkl来反映某特定晶面及其相应平面点阵组的取向，这一套整数称为晶面指标。晶面(或平面点阵组)指标的严格定义是晶面在三个晶轴上的倒易截数之比。设a、b、c为晶体的一套基向量，晶面在a轴、b轴、c轴上所截长度分别为ra、sb、tc,则r、s、t为晶面在三个晶轴上的截数，而为倒易截数。将晶面在三个晶轴上倒易截数之比化为一组互质整数,即则这一套互质整数即为晶面指标,用(hkl)符号来表示。图中示出金属铜单晶的晶面指标及其相应取向。
晶体在实际生长过程中，基于能量的原因，一般是指标小的晶面较易在晶体的外形中呈现出来。不同指标、不同取向的晶面由于原子、离子、分子排列上的差异，将具有不同的物理和化学性质，这是晶体各向异性的一种表现。
晶面间距定义为与晶面对应的平面点阵组中相邻平面点阵的垂直距离。如对具有简单立方点阵型式的晶体，指标为hkl的晶面间距dhkl与晶胞参数a有dhkl＝的关系。对于具有带心点阵型式的晶体，计算dhkl值时要作一定的修正。
晶体在实际生长过程中，基于能量的原因，一般是指标小的晶面较易在晶体的外形中呈现出来。不同指标、不同取向的晶面由于原子、离子、分子排列上的差异，将具有不同的物理和化学性质，这是晶体各向异性的一种表现。
晶面间距定义为与晶面对应的平面点阵组中相邻平面点阵的垂直距离。如对具有简单立方点阵型式的晶体，指标为hkl的晶面间距dhkl与晶胞参数a有dhkl＝的关系。对于具有带心点阵型式的晶体，计算dhkl值时要作一定的修正。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条