1) photocarrier
光生载流子
1.
The experiment with the crystal Ce: KNSBN in which photocarrier diffusion dominates over drift in the formation of space charge field is investigated.
对光折变晶体的衍射效率进行了理论性的分析研究,并以晶体Ce:KNSBN为对象,其光生载流子的迁移机制在空间电荷场形成过程中以扩散为主,进行了实验上的探
2) photocarrier concentration
光生载流子浓度
1.
The general expressions of photocarrier concentration of a loophole HgCdTe PN junction under steady-state incidence is presented in this paper by solving the one-dimensional continuity equation of photocarriers.
通过求解一维 HgCdTe 环孔 PN 结连续性方程,得到了恒定辐照下光生载流子浓度的一般表达式,并对结果进行了分析讨论。
2.
Generalized solutions of photocarrier concentration are given in this pape
对一维情况下平面 PN 结的连续性方程进行了求解,给出了不同边界条件下光生载流子浓度的一般形式解,并对结果进行了分析讨论。
3) photogenerated earner transferring
光生载流子转移
4) free-carrier-absorptio
光生载流子吸收
1.
Using an extension of these methods,we demonstrated that the reduced transmission at high intensities is primarily due to free-carrier-absorption(FCA) of the electrons and holes generated by TPA,not dire.
利用FEL的高光子密度和皮秒量级的短脉冲宽度特性 ,研究了双光子吸收 (TPA)以及光生载流子吸收 (FCA)共同作用机理 ,从实验上直接证实了在强入射能量下 ,FCA是不可忽略的光吸收过程 ,提取了精确的自由载流子吸收截面参
5) minority carrier recombination
光生载流子复合
6) lifetime of optically excited carriers
光生载流子寿命
补充资料：光生载流子
分子式：
CAS号：
性质：用光照射半导体时，若光子的能量等于或大于半导体的禁带宽度，则价带中的电子吸收光子后进入导带，产生电子-空穴对。这种类型的载流子称为光生载流子。此过程称为光注入。光子能量与频率有关，每种频率的光，都是由同等能量的光子组成的，每个光子的能量等于普朗克常数(h=6.56×10-27J·S)与光的频率v的乘积。当光照射到半导体时，由于不同材料电特性的不同以及光子能量的差异，会产生不同的光电效应。利用半导体材料的光电效应可制造光敏电阻器。
CAS号：
性质：用光照射半导体时，若光子的能量等于或大于半导体的禁带宽度，则价带中的电子吸收光子后进入导带，产生电子-空穴对。这种类型的载流子称为光生载流子。此过程称为光注入。光子能量与频率有关，每种频率的光，都是由同等能量的光子组成的，每个光子的能量等于普朗克常数(h=6.56×10-27J·S)与光的频率v的乘积。当光照射到半导体时，由于不同材料电特性的不同以及光子能量的差异，会产生不同的光电效应。利用半导体材料的光电效应可制造光敏电阻器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条