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1)  Notosolenus orbicuaris Stokes
圆珠背沟虫
2)  dorsal groove
背沟
3)  nematode [英]['nemətəʊd]  [美]['nɛmə'tod]
圆虫
4)  back channel
背沟道
1.
Trapped charge buildup during irradiation in buried oxide, which dominantly induces back channel leakage,is investigated.
对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究。
5)  half-back-channel
半背沟
1.
Improved hot carrier reliability for PDSOI nMOSFETs with half-back-channel implantation;
采用半背沟注入提高PDSOI nMOSFETs的热载流子可靠性(英文)
6)  xugou beigun
徐沟背棍
补充资料:背散射-沟道效应


背散射-沟道效应
back scattering-channeling effect

背散射一沟道效应baek seattering一ehannelingeffeet让一束单能的带电粒子(4He+或‘H+)入射到样品上,利用它与样品表面层原子核的相互作用来分析该薄层的厚度、组分、杂质种类、含量及其分布等的技术。它是一个非常有效的分析手段,具有简单、可靠,能作定量分析而无需定标以及不破坏样品等优点。背散射实验方法自20世纪60年代末建立起来后,已在固体物理、表面物理、材料科学、微电子学等方面得到了广泛应用。 背散射实验所需的仪器设备有:提供单能离子束的加速器,测量样品的靶室,接受粒子的探测器和作信号分析的电子学测量系统。 当具有一定能量的荷电粒子入射到某一样品上时,由于受样品中物质库仑斥力的作用,粒子偏离原来的方向,发生卢瑟福弹性散射。如果散射角大于900,粒子被散射后返回,这种现象称作背散射。入射粒子的能量,对4He+选用2一3 MeV,对’H+选用200一 400keV。能量过高会受核共振的影响,过低则测量的灵敏度和分辨率太低。 当具有一定能量的荷电粒子入射到靶(样品)上与靶核碰撞后,部分能量被靶核吸收。对于重靶核,被吸收的能量少,背散射粒子基本上保持入射时的能量;对于轻靶核,大部分的能量被吸收,背散射粒子的能量很小。因此从背散射粒子的能量可以定出靶核的质量,从而对靶中元素的组成进行分析。用背散射分析杂质的灵敏度约为10‘8/em3。 粒子进入样品后,在入射和出射的行进过程中不断与样品的原子碰撞而损失能量。粒子进入样品越深,能量损失越大。利用出射背散射粒子的能量直接与发生碰撞的深度相联系,便可以测定样品的厚度和深度分布。用背散射测量深度可达几个微米,其分辨率在儿千埃的深度范围内为60一200人。 背散射产额即背散射谱的谱高正比于散射中心即靶原子的浓度,因此背散射谱可用来测定样品的杂质含量和组分。此外,谱高还取决于散射几率。入射粒子和靶原子的原子序数越大,散射几率也越大,所以用重粒子分析重靶有更高的灵敏度。 背散射测量所用离子束的流强约为10 nA。 背散射实验技术的局限性在于分析轻元素,特别是重衬底中的轻元素不灵敏,它不能用来分析化学键,不能测定相的组分和区别不同的晶体结构。此外,背散射不能作横向分析,应用这个方法时都假定样品是横向均匀的。 以上讨论的是粒子随机入射的情况,即入射粒子束不平行于单晶的晶轴或晶面,这样测得的谱称随机谱。
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参考词条