1) resonant interband tunnel diode
谐振带间隧道二极管
2) RTD
谐振隧穿二极管
1.
This paper describes a monolithic OEIC that uses resonant tunneling diodes (RTDs) and metal-semiconductor-metal photo detectors (MSM-PDs).
设计了由谐振隧穿二极管 (RTD)为驱动器件 ,以金属 -半导体 -金属光探测器(MSM PD)为光敏元件的光电集成电路单元 ,利用通用电路模拟软件PSPICE基于其物理意义的电流 -电压方程建立直流电路模型 ,模拟其暂态特性 ,结果表明器件具有反相输出功能和双稳态特性。
3) resonant tunneling bipolar transistor
谐振隧道双极晶体管
4) GeSi/Si RITD
GeSi/Si带间共振隧穿二极管
1.
The strain GeSi/Si and GeSi/Si RITD are illustrated emphatically.
GeSi/Si共振隧穿二极管主要包括空穴型GeSi/SiRTD、应力型GeSi/SiRTD和GeSi/Si带间共振隧穿二极管三种结构。
6) resonance tynnel transistor
谐振隧道晶体管
补充资料：隧道二极管
| 隧道二极管 tunnel diode 基于重掺杂PN结隧道效应而制成的半导体两端器件。隧道效应是1958年由日本江崎珍於奈在研究重掺杂锗PN结时发现的，故隧道二极管又称江崎二极管。这一发现揭示了固体中电子隧道效应的物理原理，江崎为此而获得诺贝尔物理学奖 。其主要特点是它的正向电流-电压特性具有负阻 ，因此开关速度达皮秒量级 ，工作频率高达100吉赫 。此外，还具有小功耗、低噪声等特点。可用于微波混频、检波，低噪声放大、振荡等。由于功耗小，所以适用于卫星微波设备。还可用于超高速开关逻辑电路、触发器和存储器等。 |
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参考词条