1) MIS tunnel diode
MIS隧道二极管
2) MIS Diode
MIS二极管
1.
H_2S Sensing Properties of Composite Film Gate MIS Diodes;
复合敏感栅MIS二极管的H_2S响应特性
3) tunnel diode
隧道二极管
1.
Application of tunnel diode in amplifier;
隧道二极管在放大电路中的应用
2.
The property of tunnel diode is discussed,and the quiescent operation point,circuit specifica- tion and offset voltage of the tunnel diode parallel amplifier are studied,based on which a practical tunnel diode parallel amplifier is designed.
介绍了隧道二极管的特性,研究了隧道二极管并联放大器的静态特性,主要性能指标和偏置要求。
3.
A design for rectifying and adjusting pulse signal s leading edge and trailing edge with tunnel diode and FET switch is presented in this paper.
针对高速脉冲发生中对脉冲边沿陡峭、可控的要求,本文提出了一种使用隧道二极管对脉冲边沿整形,利用场效应管开关和恒流源充放电电路控制脉冲边沿时间的方案,并对其电路和隧道二极管的工作原理进行了具体分析。
4) MIM tunnel diode
MIM隧道二极管
1.
This paper reports the light emission from MIM tunnel diode and Negative Differential Resistance (NDR) in its I-V characteristic curve.
本文报道了MIM隧道二极管的发光和负阻现象,用梯形势垒计算了电流-电压特性。
5) unitunnel diode
单向隧道二极管
6) tunnel light emission diode
隧道发光二极管
补充资料：隧道二极管
| 隧道二极管 tunnel diode 基于重掺杂PN结隧道效应而制成的半导体两端器件。隧道效应是1958年由日本江崎珍於奈在研究重掺杂锗PN结时发现的，故隧道二极管又称江崎二极管。这一发现揭示了固体中电子隧道效应的物理原理，江崎为此而获得诺贝尔物理学奖 。其主要特点是它的正向电流-电压特性具有负阻 ，因此开关速度达皮秒量级 ，工作频率高达100吉赫 。此外，还具有小功耗、低噪声等特点。可用于微波混频、检波，低噪声放大、振荡等。由于功耗小，所以适用于卫星微波设备。还可用于超高速开关逻辑电路、触发器和存储器等。 |
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参考词条