1) MIM tunnel diode
MIM隧道二极管
1.
This paper reports the light emission from MIM tunnel diode and Negative Differential Resistance (NDR) in its I-V characteristic curve.
本文报道了MIM隧道二极管的发光和负阻现象,用梯形势垒计算了电流-电压特性。
2) MIM diode
MIM二极管
3) MIM Tunneling Junction
MIM隧道结
4) tunnel diode
隧道二极管
1.
Application of tunnel diode in amplifier;
隧道二极管在放大电路中的应用
2.
The property of tunnel diode is discussed,and the quiescent operation point,circuit specifica- tion and offset voltage of the tunnel diode parallel amplifier are studied,based on which a practical tunnel diode parallel amplifier is designed.
介绍了隧道二极管的特性,研究了隧道二极管并联放大器的静态特性,主要性能指标和偏置要求。
3.
A design for rectifying and adjusting pulse signal s leading edge and trailing edge with tunnel diode and FET switch is presented in this paper.
针对高速脉冲发生中对脉冲边沿陡峭、可控的要求,本文提出了一种使用隧道二极管对脉冲边沿整形,利用场效应管开关和恒流源充放电电路控制脉冲边沿时间的方案,并对其电路和隧道二极管的工作原理进行了具体分析。
5) MIS tunnel diode
MIS隧道二极管
6) unitunnel diode
单向隧道二极管
补充资料：隧道二极管（tunneldiode）
隧道二极管（tunneldiode）
又名江崎（Esaki）二极管，一种两端半导体结型器件。此管是由日本人江崎于1957年发明的。它不具有普通的整流作用，在正向偏置下，正向电流一开始随电压的增加而迅速上升达到极大值，随后随电压的增大电流反而减小产生负阻现象。反向时，反向电流随反向偏压增大而迅速增加，相当于短路。这是由于在二极管的p区和n区均为重掺杂，通常称为隧道结，隧道结中势垒区很薄，约为10-2μm，是一般pn结的1。由于量子力学的隧道效应，n区导带的电子可能穿过禁带到p区的价带，p区价带电子也可穿过禁带到n区导带，从而产生隧道电流。这样使得在零偏附近和所有负偏条件下电流均能自由通过。由于它具有正向负阻特性，而且是利用多子隧道效应工作的，所以隧道二极管具有多种用途。它具有噪声低、工作温度范围大，可在极高频工作等优点，能在高频电路中用作放大、振荡和开关等的有源元件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条