1) micro-ceramic package
微小型陶瓷封装
2) ceramic flat packing
陶瓷扁平型封装
3) ceramic package
陶瓷封装
1.
Using Ni-Co alloy to substitute Ni as the sublayer of gold plating for ceramic package is an important way to improve its resistance to high-temperature.
为了使用Ni Co合金代替Ni作为陶瓷封装电镀金层的底镀层以提高它的抗高温老化能力 ,系统地研究了从氨基磺酸盐镀液中获得低Co含量Ni Co合金镀层的规律 。
2.
Surface analysis of cavity for ceramic packages from main process steps is carriedout with SEM and EDX.
采用SEM和EDX对主要的陶瓷封装外壳生产工艺阶段的芯腔表面进行了形貌观察和成分分析。
3.
The temperatures on the cover edges near the solder-loop and at the bottom of the ceramic package were about 320 ℃ and 100 ℃,respectively.
采用红外热像仪、氦质谱检测仪、六轴测试仪和三维显微镜,分别对陶瓷封装过程中的局部温度变化、温度分布、气密性、封装强度和封装断面进行了检测和分析。
4) ceramic packaging
陶瓷封装
1.
Reducing the stress act on LiNbO_3 chip adopting fall temperature grads and intermingle crystal SiO_2 in epoxy resin,solved the difficulty of LiNbO_3 chip s crazing,LiNbO_3 SAW SMD full ceramic packaging has came true.
文章对铌酸锂声表面波SMD的全陶瓷封装中存在的技术难点及解决方法进行了浅析。
5) full ceramic device
全陶瓷封装
6) ceramic chip-scale package
陶瓷CSP封装
补充资料：尖晶石型陶瓷
分子式：
CAS号：
性质： 主晶相具有尖晶石结构RO·M2O3的多晶材料。通常RO是二价金属的氧化物，如氧化镁、氧化亚铁、氧化锌、一氧化锰等。M2O3是三价金属的氧化物，如氧化铝、氧化铁、氧化铬等。这两类不同价数的氧化物以等摩尔比结合成立方晶系RM2O4尖晶石化合物。少数也有以R4+、M2+或R6+，M+相结合尖晶石型化合物。用于电子工业中的尖晶石瓷通常指主晶相为镁铝尖晶石(MgO·Al2O3)的陶瓷，其理论组成的熔点与最低共熔点组成非常接近，故烧成范围很窄。通常须先人工合成尖晶石烧块为主要成分，再加入少量黏土及三氧化二硼、氟化钙、二氧化硅、氧化铬等添加物，降低烧结温度。密度2.7～3.6g/cm3。比热容836kJ/kg(25～100℃)，100.3kJ/kg(400℃)、58.5kJ/ kg(1000℃)。相对介电常数约7.5，介质损耗角正切值为(5～8)×1.0-4，线膨胀系数(5.93～8.00)×10-6/℃。化学稳定性良好，与热稀酸或冷浓酸长时间接触不遭受任何腐蚀，氢氟酸对它也无显著影响。熔点2135℃，比氧化铝高。用它制成的坩埚可以熔融许多金属及合金而不损伤坩埚内壁，也不沾污熔融物本身。在电子工业中，它是低压高频电容器、感应线圈骨架及电子管插座等的良好材料。
CAS号：
性质： 主晶相具有尖晶石结构RO·M2O3的多晶材料。通常RO是二价金属的氧化物，如氧化镁、氧化亚铁、氧化锌、一氧化锰等。M2O3是三价金属的氧化物，如氧化铝、氧化铁、氧化铬等。这两类不同价数的氧化物以等摩尔比结合成立方晶系RM2O4尖晶石化合物。少数也有以R4+、M2+或R6+，M+相结合尖晶石型化合物。用于电子工业中的尖晶石瓷通常指主晶相为镁铝尖晶石(MgO·Al2O3)的陶瓷，其理论组成的熔点与最低共熔点组成非常接近，故烧成范围很窄。通常须先人工合成尖晶石烧块为主要成分，再加入少量黏土及三氧化二硼、氟化钙、二氧化硅、氧化铬等添加物，降低烧结温度。密度2.7～3.6g/cm3。比热容836kJ/kg(25～100℃)，100.3kJ/kg(400℃)、58.5kJ/ kg(1000℃)。相对介电常数约7.5，介质损耗角正切值为(5～8)×1.0-4，线膨胀系数(5.93～8.00)×10-6/℃。化学稳定性良好，与热稀酸或冷浓酸长时间接触不遭受任何腐蚀，氢氟酸对它也无显著影响。熔点2135℃，比氧化铝高。用它制成的坩埚可以熔融许多金属及合金而不损伤坩埚内壁，也不沾污熔融物本身。在电子工业中，它是低压高频电容器、感应线圈骨架及电子管插座等的良好材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条