说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 微波大功率场效应晶体管
1)  microwave power field effect transistor
微波大功率场效应晶体管
2)  Microwave power FET
微波功率场效率晶体管
3)  GaAs microwave power FET
砷化镓微波功率场效应晶体管
4)  power MOSFET
功率场效应晶体管
5)  field-effect HF power transistor
场效应高频功率晶体管
6)  microwave high-power transistor
微波大功率晶体管
补充资料:功率场效应晶体管
      利用半导体的场效应制作的功率晶体管。半导体的场效应指通过垂直于半导体表面的外加电场,可以控制或改变靠近表面附近薄层内半导体的导电特性。功率场效应晶体管元件符号如图1所示。图1中G、D、S分别代表其栅极、漏极和源极。功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是最重要的一种功率场效应晶体管,除此之外还有MISFET、MESFET、JFET等几种。功率MOSFET为功率集成器件,内含数百乃至上万个相互并联的MOSFET单元。为提高其集成度和耐压性,大都采用垂直结构(即VMOS),如VVMOS(V型槽结构)、VUMOS、SIPMOS等。
  
  图2显示了一种SIPMOS(n沟道增强型功率MOSFET)的部分剖面结构。其栅极用导电的多晶硅制成,栅极与半导体之间有一层二氧化硅薄膜,栅极与源极位于硅片的同一面,漏极则在背面。从总体上看,漏极电流垂直地流过硅片,漏极和源极间电压也加在硅片的两个面之间。 该器件属于耗尽型n沟道的功率MOSFET,其源极和漏极之间有一n型导电沟道,改变栅极对源极的电压,可以控制通过沟道的电流大小。耗尽型器件在其栅极电压为零时也存在沟道,而增强型器件一定要施加栅极电压才有沟道出现。与n沟道器件对应,还有p沟道的功率MOSFET。
  
  图3为图2所示SIPMOS的输出特性。它表明了栅极的控制作用及不同栅极电压下,漏极电流与漏极电压之间的关系。图3中,在非饱和区(Ⅰ),源极和漏极间相当于一个小电阻;在亚阈值区(Ⅲ)则表现为开路;在饱和区(Ⅱ),器件具有放大作用。
  
  功率MOSFET属于电压型控制器件。它依靠多数载流子工作,因而具有许多优点:能与集成电路直接相连;开关频率可在数兆赫以上(可达100MHz),比双极型功率晶体管(GTR)至少高10倍;导通电阻具有正温度系数,器件不易发生二次击穿,易于并联工作。与GTR相比,功率MOSFET的导通电阻较大,电流密度不易提高,在100kHz以下频率工作时,其功率损耗高于GTR。此外,由于导电沟道很窄(微米级),单元尺寸精细,其制作也较GTR困难。在80年代中期,功率MOSFET的容量还不大(有100A/60V,75A/100V,5A/1000V等几种)。
  
  功率MOSFET是70年代末开始应用的新型电力电子器件,适合于数千瓦以下的电力电子装置,能显著缩小装置的体积并提高其性能,预期将逐步取代同容量的 GTR。功率MOSFET的发展趋势是提高容量,普及应用,与其他器件结合构成复合管,将多个元件制成组件和模块,进而与控制线路集成在一个模块中(这将会更新电力电子线路的概念)。此外,随着频率的进一步提高,将出现能工作在微波领域的大容量功率MOSFET。
  

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条