1) microwave power transistor
微波功率晶体管
1.
Applications of the dry etching to silicon microwave power transistor;
干法腐蚀在硅微波功率晶体管研制中的应用
2.
Thermal failure of a type of microwave power transistor was analyzed and discussed,the power aging failure happened in the process of screening test.
微波功率晶体管是微波功率放大器中的核心器件,其热性能在很大程度上决定于封装管芯的管壳。
2) Microwave power FET
微波功率场效率晶体管
3) ebipolar microwave power transistor
双极型微波功率晶体管
4) Microwave power bipolar transistor
微波功率双极晶体管
5) microwave high-power transistor
微波大功率晶体管
6) microwave pulsed power transistor
硅微波功率晶体管
1.
Due to the small volume, light weight, high power, high gain and high reliability, the solid state silicon microwave pulsed power transistors have a widely application in communication, radar, and electron countermeasure(ECM).
本文从硅微波功率晶体管的设计考虑出发,对管芯频率性能设计、功率增益性能设计进行了讨论。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条