2) microwave high-power transistor
微波大功率晶体管
3) transistor power amplifier
晶体管功率放大器
5) microwave power transistor
微波功率晶体管
1.
Applications of the dry etching to silicon microwave power transistor;
干法腐蚀在硅微波功率晶体管研制中的应用
2.
Thermal failure of a type of microwave power transistor was analyzed and discussed,the power aging failure happened in the process of screening test.
微波功率晶体管是微波功率放大器中的核心器件,其热性能在很大程度上决定于封装管芯的管壳。
6) microwave power amplifier
微波功率放大器
1.
Simulation design of microwave power amplifier using load-pull method;
基于负载牵引方法的微波功率放大器仿真设计
2.
This paper discusses the two methods,the analysis method and the graphic method,which cause the load and the source impedance matching,in the matching network designing of microwave power amplifier,and compares the advantage and disadvantage of these two methods through an example.
本文讨论了在微波功率放大器的匹配网络设计中,使负载与源阻抗相匹配的两种方法--解析法和图解法,并通过实例分析这两种方法的特点。
3.
The microwave power amplifier is widerly applied in the system of the radar,the communication,the navigation,the earth working station of satellite,and the electronic countermeasure.
微波功率放大器在雷达、通信、导航、卫星地球站、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用。
补充资料：大功率电子管
第一代电力电子器件。用于高频电能变换电路，一般为真空三极管。器件符号如图1所示。三极管的3个电极中,栅极靠近阴极且处于阴极与阳极之间。工作时,阳极加正向电压。当阴极被加热(直热式，预热时间约1分钟)，产生的热电子可被阳极收集，形成阳极电流，改变栅极电位可以控制阳极电流的大小。图2是大功率电子管阳极特性一例。与功率场效应晶体管的输出特性对比，它们有相同之处，但三极管的通态阳极电压要高得多。 三极管为电压控制型器件，用以构成放大器或振荡器。应用于高频感应加热电源的大功率电子管其额定阳极电压为5～15千伏, 额定电流为几安至上百安,耗散功率从几千瓦至几百千瓦，工作频率一般为1～5兆赫（上限可达100兆赫），可连续工作约数千小时。 电子管高频电源的频率下限约100千赫。50 千赫以下的电源一般采用电力半导体器件（如晶闸管）。
在电子管高频电源中,电子管处于振荡工作状态,器件上会同时出现很高的阳极电压与电流，所产生的大量热量由水冷装置或风冷装置散逸。电子管高频电源的效率一般不到50％,而晶闸管中频（1千赫）电源的效率则高达92％以上。20世纪80年代，由于能控制几十千瓦以上功率的电力电子器件，其开关频率（约几十千赫）还远未达到同容量的大功率电子管水平，电子管在高频大功率领域仍占据主要地位。
在电子管高频电源中,电子管处于振荡工作状态,器件上会同时出现很高的阳极电压与电流，所产生的大量热量由水冷装置或风冷装置散逸。电子管高频电源的效率一般不到50％,而晶闸管中频（1千赫）电源的效率则高达92％以上。20世纪80年代，由于能控制几十千瓦以上功率的电力电子器件，其开关频率（约几十千赫）还远未达到同容量的大功率电子管水平，电子管在高频大功率领域仍占据主要地位。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条