1) exoelectron emission (EEE)
外(逸)电子发射
2) exoelectron emission
外逸电子发射
3) external
外
1.
Treatment of non-union caused by femoral supracondylar fracture with external fixation device;
外固定支架治疗股骨髁上骨折骨不连
2.
Clinical evaluation of the treatment of open comminuted tibiofibular fractures near articulation with three dimensional external fixators;
三维外固定架治疗胫腓骨近关节端严重开放性骨折的临床评价
3.
Transarticular fixation with external fixators in unstable distal radius fractures;
跨腕关节外固定器治疗不稳定性桡骨远端骨折
4) outer
外
1.
Time sequential analysis of the death of rat s cochlear outer hair cells at the early stage after exposure to impulse noise;
脉冲噪声暴露后早期大鼠耳蜗外毛细胞死亡时程观察
2.
The influence of sodium nitroprusside on whole cell currents of isolated outer hair cells of guinea pigs;
硝普钠对豚鼠单离耳蜗外毛细胞全细胞电流的影响
3.
Effect of linopirdine on potassium currents in isolated outer hair cells and Dei ters′ cells of the cochlea from guinea pig;
利诺吡啶对豚鼠耳蜗外毛细胞和支持细胞钾电流的影响
5) "outer"characterstic
“外”
6) transannular-surroundings
外环外界
1.
Experimental results show that the reaction acts up on transannular-surroundings electron transfer reaction mechanisms.
实验表明，此反应遵循外环外界电子转移反应机理。
参考词条
补充资料：次级电子发射
通常指由于初级电子撞击固体，导致固体内发射电子的过程。它是制作扫描电子显微镜、电子倍增器、光电倍增管及很多真空器件的基础。扫描电子显微镜的次级电子像又是区别不同表面形貌的重要手段，但它的分析深度大约是200┱。
次级电子产额 δ定义为对应于每个初级电子所发射出的次级电子数目，δ的数值与初级电子的能量有关。由固体发射的次级电子依赖于体内和表面的电子结构、入射束的能量及角度以及表面形貌。次级电子发射可认为有三个基本步骤：固体内的电子被激发到高能态；然后在表面附近运动；最后克服表面势垒逃逸到真空。可将电子在表面附近的传播和逃逸表面的能力用逃逸深度表示。逃逸深度一般与入射束的能量关系较小，而与样品种类关系很大。例如对金属，电子间相互作用强，在传播过程中能量损失大，逃逸深度小于10nm，电子产额极值δm也较小。对于绝缘体，电子逃逸表面时只有用于激发声子的能量损失。逃逸深度和δ都比金属大。
次级电子的动能大多数小于50eV，远离次级电子能谱主峰，位于1～6eV的峰称做慢峰。俄歇电子也是次级电子，是强度很低的次级电子，用作表面化学分析。
晶体次级电子发射的各向异性，与激发电子的能量分布、态密度结构密切相关。降低入射电子能量，可以得到激发到表面共振态的次级电子发射。
参考书目
Hachenberg and W. Brauer, Secondary Electron Emission From Solid, Y. L. Marton, ed., Advances in Electronics and Electron Physics,pp.413～499, Academic Press,New York, 1959.
次级电子产额 δ定义为对应于每个初级电子所发射出的次级电子数目，δ的数值与初级电子的能量有关。由固体发射的次级电子依赖于体内和表面的电子结构、入射束的能量及角度以及表面形貌。次级电子发射可认为有三个基本步骤：固体内的电子被激发到高能态；然后在表面附近运动；最后克服表面势垒逃逸到真空。可将电子在表面附近的传播和逃逸表面的能力用逃逸深度表示。逃逸深度一般与入射束的能量关系较小，而与样品种类关系很大。例如对金属，电子间相互作用强，在传播过程中能量损失大，逃逸深度小于10nm，电子产额极值δm也较小。对于绝缘体，电子逃逸表面时只有用于激发声子的能量损失。逃逸深度和δ都比金属大。
次级电子的动能大多数小于50eV，远离次级电子能谱主峰，位于1～6eV的峰称做慢峰。俄歇电子也是次级电子，是强度很低的次级电子，用作表面化学分析。
晶体次级电子发射的各向异性，与激发电子的能量分布、态密度结构密切相关。降低入射电子能量，可以得到激发到表面共振态的次级电子发射。
参考书目
Hachenberg and W. Brauer, Secondary Electron Emission From Solid, Y. L. Marton, ed., Advances in Electronics and Electron Physics,pp.413～499, Academic Press,New York, 1959.
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