1) vaour-deposited niobium-tin tape
气相沉积法铌锡带
2) vaporu deposited niobium tin tape
铌-锡气相沉积带
3) CVD
气相沉积法
1.
Nano sam-ples were grown under three different temperature conditions in CVD(Chemical Vapor Deposition) method.
要对纳米ZnO晶体进行了喇曼背散射几何配置下的喇曼测试与分析,其样品采用化学气相沉积法(CVD),分别在三种不同的温度下生长而成。
4) vapor deposition
气相沉积法
1.
This paper reviewed the recent development of the intermetallic compounds,focusing on the preparation techniques including self-propagating high-temperature synthesis(SHS),mechanical alloying(MA),melting and casting technology and vapor deposition.
着重介绍了燃烧合成技术,机械合金化技术,熔炼和熔铸技术,气相沉积法的发展趋势及现状。
2.
In this paper several substrate surface activation methods for electroforming compos- ite material molds are briefly introduced,including traditional substrate surface activation,vapor deposition activation,DBD activation,photochemical activation and auto-catalytic activation,etc.
本文简单介绍了复合材料模具电铸工艺中基体表面活化的几种方法,包括传统的基体表面活化法、气相沉积法、介电层放电法、先化学法、自催化活化法等,讨论了它们的原理、优缺点、最新进展及应用前景。
5) physical vapor deposition
物理气相沉积法
1.
Employing the physical vapor deposition method,Bi2O3 powder was heated to 1050 ℃ at normal pressure in a horizontal tube furnace with the protection of argon gas and oxygen,and then cooled and deposited naturally.
利用物理气相沉积法,在氩气和氧气保护下将氧化铋粉末在水平管式炉中常压加热至1050℃,然后降温沉积,在硅衬底上得到了大量具有规则矩形外形的二维纳米结构——片状氧化铋。
6) Chemical vapor deposition
化学气相沉积法
1.
Silica coating was prepared by atmospheric pressure chemical vapor deposition taking HP40 steel plate as substrate,tetraethyl orthosilicate as silica source,and air as carrier gas and diluent.
以正硅酸乙酯为硅源物质、空气为载气和稀释气,采用常压化学气相沉积法在HP40钢表面制备了SiO2涂层;采用扫描电子显微镜和能量色散能谱表征了SiO2涂层的组织结构和表面形貌;考察了在乙烯裂解的工艺条件下SiO2涂层的结焦抑制能力。
2.
Single-walled carbon nanotubes have been prepared from coal gas by catalytic chemical vapor deposition technique with ferrocene as catalyst, and electrochemistry analysis was carried on supercapacitance using nanotubes as electrodes.
开发以煤气为碳源采用化学气相沉积法制备单壁碳纳米管,并对其作为超级电容器电极的电化学性能进行研究。
3.
Carbon nanotubes (CNTs) is prepared by means of chemical vapor deposition (CVD) method.
利用化学气相沉积法制备碳纳米管(carbonnanotubes,CNTs),分析了气源、催化剂及温度等因素对CNTs形貌和纯度的影响。
补充资料：扩散法铌三锡超导带材
扩散法铌三锡超导带材
superconductive tape of Nb_(3)Sn by diffusion
伙UOS0nfon一Sonx一Ch00dQO d01C0.扩散法妮三锡超导带材(supereonduetivetape of Nb3Sn by diffusion)A一25型化合物超导材料的一种。1965年秉兹(Benz)等人将妮带表面覆锡后，进行加热的扩散反应，从而在妮基体表面生成妮三锡超导薄层，再外覆铜层而得妮三锡扩散法超导带材。 用扩散法制备妮三锡超导带材的二艺技术经历过不断的发展与改进。最初，钥带在熔融的纯锡熔池中浸渍后进行热处理，这祥生成的妮三锡层凹凸不平，其中存在低临界温度(去)超导相-一NbsnZ、Nbosn:等。后来，把妮带连续通过涂锡区后，接着经过反应区，两区间的温度皆为95。一l000C，就能大盘地连续生产妮二锡超导带材，其Nh3Sn层也较均匀平整。进步的改进是发展了低温快速生成工艺，特别是在700C低温下进行扩散反应，方法是向熔融锡池中加入量为4。%的铜，这使得Nb3Sn的生成速率和单相比百分率提高，该单一的Nb3sn超导相带材的性能得以提高此外，在我国还采用成盘涂锡的妮带进行低温70()〔扩散热处理的独特技术，可大大提高生产率，其扩散生成Nb3Sn层的盘带，用FeCI、腐蚀后，可分开复绕成卷。、 扩散反应生成的妮三锡超导带材，长度可达干米以上，随后进行覆铜。其办法有二:(l)钎焊法将厚度为。.1一。.3mm的无氧铜钎焊在未与锐反应的残存的锡表面上。(2)电镀法。用通常的电镀法在反应带材表面镀上一层致密的铜层。 用扩散法制得的妮三锡超导带材，其转变为零电阻的7几为17一18K，临界电流密度(，大)一般为(1一2.6)又lo5A/emZ(4.ZK，loT)。为了改善扩散法Nb、Sn超导带的J。，在妮基体中添加二氧化错，使Nb3sn层的晶粒生成等轴形，并在Nb3sn晶体内渗进微细的二氧化错粒子，使磁通钉扎力提高，.1。增加(可达 4.5只lo5A/c mZ(4 .ZK，loT)或更高)。有关扩散法妮三锡带材的临界电流密度与外场强的关系曲线列于图中。 扩散法妮三锡超导带材在6。年代后期己能小批量生产，凤绕制成了中、小型高场超导磁体，场强为IOT(4.ZK)。l。疏一习 碱1、幼\\入l 、!、屯、、入l’份…一一到 H厅扩散法N玩Sn超导带材的J一11特性曲线 〔唐先德周农)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条