1) power module transistor
功率组件晶体管
2) GTR
功率晶体管
1.
Study on A New Kind of GTR Driving Circuit;
一种新型大功率晶体管驱动电路的研究
2.
This paper describes the use of GTR in an air plasma cut supply and analysesthe turning-on and off processes of the GTR.
应用达林顿功率晶体管于等离子切割电源，分析晶体管的开关过程及设计中的关键问题，设计结果有一定的普遍性。
3.
This paper describes a simply constricted and high performence GTR drive circuit for 200A、800VGTR.
本文介绍了一结构简单、性能良好的GTR驱动电路,该电路可驱动200A,800V的功率晶体管。
3) Power transistor
功率晶体管
1.
The driving circuit is used to enlarge the frequency modulation signal from 8031 CPU to drive the power transistor.
驱动电路的作用是将8031CPU输出的调频控制信号放大到足以驱动功率晶体管,在变频调速控制系统中,驱动电路的性能在某种程度上直接影响系统功能。
2.
Based on the faults caused by the wrong connection of the base lead and the collector feedback lead of the air conditioner power transistor on TOYOTA CRESSIDA, the control principle and signal transmission process of its fan are analysed in details.
通过丰田克雷西达(Cressida)自动空调因功率晶体管的基极导线与集电极反馈导线接反,而导致Ⅰ、Ⅱ档风速与Lo档相同、Hi档正常的故障,详细分析了该车风机的控制原理、信号传输过程;叙述了发现该故障的思路,以及电压、电流变化的原理。
3.
The method to test output and transfer characteristics of power transistor module with general oscilloscope is proposed.
介绍采用通用示波器测量功率晶体管模块输出特性和转移特性的方法，研制成功单片机控制阶梯波恒流驱动电源，对日本富士电机公司生产的５０Ａ／１０００Ｖ（２ＤＩ５０Ｄ－１００）功率晶体管模块进行了测试，并给出了测试结果。
4) power transistor
功率晶体管，大功率晶体管，晶体功率管
5) high-power transistor
大功率晶体管
1.
The high-power transistor of exciter will be damaged after the 3-phase circuits’ sudden short, which results in starving for the analysis and study of the phenomenon.
发电机突然三相短路会导致励磁系统大功率晶体管的损坏,必须对该现象进行分析和研究。
2.
In this article,from the device\'s structure and manufacturing the second breakdown of the anti-burnirg power switching transistor was discussed and a new type of high-power transistors was introduced,which has the guidance mean to the vote production.
主要从器件的结构与制造角度,详细地讨论了与抗烧毁有关的大功率开关晶体管的二次击穿及其改善措施,并介绍了一种新型的大功率晶体管结构,对投片生产具有实际的指导意义。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条