1) LDMOS power transistor
LDMOS功率晶体管
1.
In the thesis, a new type of device-LDMOS power transistor-is introduced.
本文介绍了一种新型的功率器件：LDMOS功率晶体管，讲述了LDMOS功率晶体管的发展动态和应用前景，通过与双极型晶体管的对比，表明了该器件具有高增益等方面的优点。
2) LDMOS
LDMOS功率
1.
Design and Fabrication of LDMOS Power Device on SOI Substrate;
SOI LDMOS功率器件的研究与制备
3) GTR
功率晶体管
1.
Study on A New Kind of GTR Driving Circuit;
一种新型大功率晶体管驱动电路的研究
2.
This paper describes the use of GTR in an air plasma cut supply and analysesthe turning-on and off processes of the GTR.
应用达林顿功率晶体管于等离子切割电源，分析晶体管的开关过程及设计中的关键问题，设计结果有一定的普遍性。
3.
This paper describes a simply constricted and high performence GTR drive circuit for 200A、800VGTR.
本文介绍了一结构简单、性能良好的GTR驱动电路,该电路可驱动200A,800V的功率晶体管。
4) Power transistor
功率晶体管
1.
The driving circuit is used to enlarge the frequency modulation signal from 8031 CPU to drive the power transistor.
驱动电路的作用是将8031CPU输出的调频控制信号放大到足以驱动功率晶体管,在变频调速控制系统中,驱动电路的性能在某种程度上直接影响系统功能。
2.
Based on the faults caused by the wrong connection of the base lead and the collector feedback lead of the air conditioner power transistor on TOYOTA CRESSIDA, the control principle and signal transmission process of its fan are analysed in details.
通过丰田克雷西达(Cressida)自动空调因功率晶体管的基极导线与集电极反馈导线接反,而导致Ⅰ、Ⅱ档风速与Lo档相同、Hi档正常的故障,详细分析了该车风机的控制原理、信号传输过程;叙述了发现该故障的思路,以及电压、电流变化的原理。
3.
The method to test output and transfer characteristics of power transistor module with general oscilloscope is proposed.
介绍采用通用示波器测量功率晶体管模块输出特性和转移特性的方法，研制成功单片机控制阶梯波恒流驱动电源，对日本富士电机公司生产的５０Ａ／１０００Ｖ（２ＤＩ５０Ｄ－１００）功率晶体管模块进行了测试，并给出了测试结果。
5) power transistor
功率晶体管，大功率晶体管，晶体功率管
6) RF power LDMOS
射频功率LDMOS
1.
A RF power LDMOS with a trench drift region is optimally designed.
对射频功率LDMOS槽形漂移区的结构进行了优化设计。
2.
A novel buried n layer partial SOI RF power LDMOS is proposed.
提出了具有n埋层PSOI(部分SOI)结构的射频功率LDMOS器件。
3.
A novel n-buried-pSOI sandwiched structure for an RF power LDMOS is p roposed.
提出了具有n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS器件。
补充资料：功率晶体管
耗散功率大于1瓦的晶体管。它包括低频功率管、高反压功率管、结型高频功率管、微波功率管和场效应功率管等。
功率晶体管的主要特点是功率耗散大，因此在设计器件时通常采取如下措施：提高器件的击穿电压、增加有源区面积、减小管芯本体厚度、改善管芯与载体的热传导性能、提高底盘的功率容量等。
低频功率管主要用于低频放大、振荡和稳压电路中。硅功率管的耗散功率已达到千瓦以上。高反压功率管主要用于电视接收机行扫描电路、示波器偏转电路、雷达亮度显示器、高压开关电路等。硅平面结构加上多层保护环可制成1千伏以上的高反压管,台面结构则可制成数千伏的器件。高压器件一般要求外延层较厚、掺杂浓度低、扩散结深、基区较宽、器件表面有良好的钝化层。
高频功率管工作频率在几十兆赫至几百兆赫之间。微波功率管则工作于P波段以上,直到厘米波段。它们主要用于微波通信、雷达、电子仪器的输出电路。硅微波功率管的特点是：外延层薄而且掺杂浓度较高，光刻线条细（从几微米至亚微米），发射极周长与集电极面积的比率大，基区宽度窄（可窄到0.1微米）,器件工作电流密度大(可达5×105安/厘米2)。为了达到这些要求,在工业生产中须采用电子束制版、光刻、离子注入、等离子干法腐蚀及淀积、磁控溅射、多坩埚电子束蒸发、完美晶片加工技术、多层金属化系统、内部网络匹配及功率合成等新工艺和新技术。
二次击穿是造成结型功率器件烧毁的主要原因，采用发射极横向和纵向镇流电阻可抑制正偏二次击穿，采用多层外延工艺可增强抗反偏二次击穿能力。在高电流密度下，微波功率管会发生发射极电流集边效应、基区电导调制效应、基区宽度展宽效应等。为了克服这些不利的影响，在晶体管图形设计、外延层厚度及掺杂浓度选择、扩散结深及杂质分布控制等方面必须进行最佳化计算机辅助设计。
场效应功率管包括硅功率场效应管和砷化镓场效应功率管。这两种器件可做成 MOS型、结栅型和肖特基势垒型。硅静电感应功率管是一种结栅场效应管，它的输入阻抗大、工作线性好、工作温度范围宽。它还具有负温度特性，适于作线性微波功率放大。在低频段，它是高级音响设备的理想功率放大器件之一。
砷化镓功率微波器件具有优越的微波功率性能，它可工作于厘米波范围。在6吉赫可输出25瓦,18兆赫可输出2瓦。进一步提高输出功率和工作频率的措施是:把栅长压缩到0.25微米,提高击穿电压,采用面接地技术、芯片倒装焊接技术、T型栅技术、内匹配技术等。
功率晶体管的主要特点是功率耗散大，因此在设计器件时通常采取如下措施：提高器件的击穿电压、增加有源区面积、减小管芯本体厚度、改善管芯与载体的热传导性能、提高底盘的功率容量等。
低频功率管主要用于低频放大、振荡和稳压电路中。硅功率管的耗散功率已达到千瓦以上。高反压功率管主要用于电视接收机行扫描电路、示波器偏转电路、雷达亮度显示器、高压开关电路等。硅平面结构加上多层保护环可制成1千伏以上的高反压管,台面结构则可制成数千伏的器件。高压器件一般要求外延层较厚、掺杂浓度低、扩散结深、基区较宽、器件表面有良好的钝化层。
高频功率管工作频率在几十兆赫至几百兆赫之间。微波功率管则工作于P波段以上,直到厘米波段。它们主要用于微波通信、雷达、电子仪器的输出电路。硅微波功率管的特点是：外延层薄而且掺杂浓度较高，光刻线条细（从几微米至亚微米），发射极周长与集电极面积的比率大，基区宽度窄（可窄到0.1微米）,器件工作电流密度大(可达5×105安/厘米2)。为了达到这些要求,在工业生产中须采用电子束制版、光刻、离子注入、等离子干法腐蚀及淀积、磁控溅射、多坩埚电子束蒸发、完美晶片加工技术、多层金属化系统、内部网络匹配及功率合成等新工艺和新技术。
二次击穿是造成结型功率器件烧毁的主要原因，采用发射极横向和纵向镇流电阻可抑制正偏二次击穿，采用多层外延工艺可增强抗反偏二次击穿能力。在高电流密度下，微波功率管会发生发射极电流集边效应、基区电导调制效应、基区宽度展宽效应等。为了克服这些不利的影响，在晶体管图形设计、外延层厚度及掺杂浓度选择、扩散结深及杂质分布控制等方面必须进行最佳化计算机辅助设计。
场效应功率管包括硅功率场效应管和砷化镓场效应功率管。这两种器件可做成 MOS型、结栅型和肖特基势垒型。硅静电感应功率管是一种结栅场效应管，它的输入阻抗大、工作线性好、工作温度范围宽。它还具有负温度特性，适于作线性微波功率放大。在低频段，它是高级音响设备的理想功率放大器件之一。
砷化镓功率微波器件具有优越的微波功率性能，它可工作于厘米波范围。在6吉赫可输出25瓦,18兆赫可输出2瓦。进一步提高输出功率和工作频率的措施是:把栅长压缩到0.25微米,提高击穿电压,采用面接地技术、芯片倒装焊接技术、T型栅技术、内匹配技术等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条