1) punch-through transistor,punch-through transistors
穿通晶体管
2) punch through avalanche transistor
穿通雪崩晶体管
3) punch-through
穿通现象，击穿现象(晶体管内的)
4) resonant tunneling transistor
共振隧穿晶体管
1.
A Schottky gate resonant tunneling transistor(RTT) is fabricated.
已研制成了肖特基栅共振隧穿晶体管,在双势垒结构上蒸发铂金形成栅。
5) RTT
共振隧穿晶体管
1.
An Inverter Unified Model of RTT;
共振隧穿晶体管的反相器统一模型
2.
A GaAs-based resonant tunneling transistor with a gate structure(GRTT) has been designed and fabricated successfully for the first time in mainland China.
在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT)。
6) bulk avalanche thyristor
体击穿晶闸管
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条