1) bismuth germanium oxide
锗酸铋氧化物
3) new oxide of bismuth and chromium
铋铬氧化物
4) bismuth germanate crystal
锗酸铋晶体
1.
The etching morphology of bismuth germanate crystals grown by Bridgmanmethod were inverstigated.
研究了坩埚下降法生长锗酸铋晶体(BGO)的腐蚀形貌,比较了{112}、{111}、{110}、{100}晶面族的腐蚀形貌特征和速度,利用 X 射线劳厄定向并借助于极图确定了腐蚀坑的结晶学方位,推测了蚀坑的组成晶面主要是{112},其次是{110}。
5) Bi 12 GeO 20 single crystal
锗酸铋单晶
6) germanium sesquioxide
锗倍半氧化物
1.
AIM: To search for more effective and less toxic new type radiosensitizer, three types of organic germanium sesquioxide were synthesized.
目的：为寻找新型低毒有效放射增敏剂，合成了３ 种类型有机锗倍半氧化物。
补充资料：锗酸铋
分子式：Bil2GeO2O
CAS号：
性质：一种压电晶体。立方晶系，点群23。密度7.139g/cm3。熔点935℃。自激活，在X射线激活下发出峰值波长为480nm的荧光，扩散系数(150kev)9.93cm-3。相对光输出(80keV)10％，衰减时间0.3μs。20ms的余辉强度<1％。具有波传播速度低和一次与二次电光效应以及光电导效应等特性。采用气相生长法制备多晶薄膜。用作电光或光电导材料，也用于制作延迟线、超音频声学器件。
CAS号：
性质：一种压电晶体。立方晶系，点群23。密度7.139g/cm3。熔点935℃。自激活，在X射线激活下发出峰值波长为480nm的荧光，扩散系数(150kev)9.93cm-3。相对光输出(80keV)10％，衰减时间0.3μs。20ms的余辉强度<1％。具有波传播速度低和一次与二次电光效应以及光电导效应等特性。采用气相生长法制备多晶薄膜。用作电光或光电导材料，也用于制作延迟线、超音频声学器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条