1) silicon carbide film
碳化硅膜
2) SiC thin film
碳化硅薄膜
1.
SiC thin film has many preferred properties,such as low density,high thermal conductivity,low thermal expansion coefficient,high hardness and so on.
碳化硅薄膜有密度小、热导率高、热膨胀系数低、硬度高等优异的性能。
3) H SiC thin films
6H碳化硅薄膜
4) freestanding SiC film
碳化硅自由薄膜
5) polycrystal SiC films
多晶碳化硅薄膜
6) continuous freestanding silicon carbide films
碳化硅自由膜
补充资料：碳化硅膜
分子式：
CAS号：
性质：硅碳化合物的薄膜。SiC机械强度高，耐高温和耐腐蚀性优良，块体SiC的硬度为HV22.5～25GPa。SiC薄膜可用化学气相沉积(CVD)、反应溅射、射频溅射和射频离子镀等方法制备。在多数情况下，得到α-SiC和β-SiC共存的双相组织，硬度为HV25～40GPa。用CVD法制备的SiC膜的晶体结构和硬度与基材的温度密切相关，为了得到高质量的单晶膜，基体反应温度应保持在1000～1500℃。SiC膜除用作耐磨镀层外，还可用作薄膜热敏电阻器，光电子学和高温半导体器件，以及聚变堆的第一壁材料。
CAS号：
性质：硅碳化合物的薄膜。SiC机械强度高，耐高温和耐腐蚀性优良，块体SiC的硬度为HV22.5～25GPa。SiC薄膜可用化学气相沉积(CVD)、反应溅射、射频溅射和射频离子镀等方法制备。在多数情况下，得到α-SiC和β-SiC共存的双相组织，硬度为HV25～40GPa。用CVD法制备的SiC膜的晶体结构和硬度与基材的温度密切相关，为了得到高质量的单晶膜，基体反应温度应保持在1000～1500℃。SiC膜除用作耐磨镀层外，还可用作薄膜热敏电阻器，光电子学和高温半导体器件，以及聚变堆的第一壁材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条