1) hot atom annealing
热原子退火
2) in situ annealing
原位退火
1.
Nanogranular C/Co/C films were prepared by facing magnetron sputtering from C and Co onto glass substrates at room temperature and subsequent in situ annealing.
应用对靶磁控溅射法在玻璃基底上制备了类三明治结构C/Co/C纳米颗粒膜,并进行了原位退火。
2.
Effects of in situ annealing on the structural and optical properties of Gallium nitride(GaN)layers grown on(0001)sapphire by hydride vapor phase epitaxy(HVPE)are studied.
研究了原位退火对用氢化物外延方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长的氮化镓(GaN)外延薄膜的结构和光学性能的影响。
3.
The in situ annealing technique of film preparation has advantage in multilayer device.
MgB_2良好的超导性能使其在超导电子应用方面有着广阔的前景，高质量薄膜是超导器件的前提，原位退火制备薄膜的方法具有适合多层膜器件的优势，所以研究用原位退火方法制备高质量MgB_2薄膜对这个材料在超导电子学中的应用至关重要。
3) reduction annealing
还原退火
1.
In order to study the powder forged gear used in aeroplane engine,the manufacture of powders with high chromium containing 12Cr2Ni4A and 18Cr2Ni4WA,their oxygen content control and reduction annealing technology have been studied in detail.
为研制航空发动机上应用的粉末锻造齿轮，对高铬含量合金钢１２Ｃｒ２Ｎｉ４Ａ和１８Ｃｒ２Ｎｉ４ＷＡ的粉末制取及其氧含量控制和还原退火工艺，作了较详尽的研究，最终获得了氧含量低、压制性能好的粉末锻造齿轮用合金钢粉末。
4) thermal annealing
热退火
1.
Investigation of thermal annealing for a-C:F:H filmsdeposited with microwave ECR-CVD method;
ECR-CVD法制备的a-C:F:H薄膜在N_2气氛中的热退火研究
2.
Study of diffusion energy of strain quantum well with thermal annealing
热退火中应变量子阱的扩散激活能的研究
3.
The different dose of rare earth Nd ion was implanted into n-type silicon, and the samples were annealed by using rapid thermal annealing method.
本文采用高能离子注入技术将两种剂量的稀土元素钕(Nd)引入外延n-Si片中,并借助非相干光快速热退火(RTA)方法使注入层再结晶并电激活;利用深能级瞬态谱(DLTS)测量方法对Si中Nd离子的深能级行为进行了研究。
6) Annealing
[英][ə'ni:liŋ] [美][ə'nilɪŋ]
热退火
1.
Thermal Annealing on Scatter Particles in KDP Crystal;
热退火对KDP晶体中散射颗粒的影响
2.
From the PL results,UV intensity of the sample annealed at 700℃ increases highly comparing with that of unannealed,while it decreases slightly at higher annealing temperature(900℃);the luminescence of visible.
分别用SEM、XRD观察了样品在沉积态(300℃)及700℃和900℃下热退火后的形貌和结构。
3.
The influence of thermal annealing on the electron field emission characteristics of the AIN coating on Si substrate was investigated.
以氮气为反应气体；用射频反应溅射方法制备了ＡＩＮ薄膜，结合ＸＰＳ和ＸＲＤ表征考察了热退火后处理对样品场电子发射性能的影响。
补充资料：热原子退火
分子式：
CAS号：
性质：固态母体化合物经核转变过程而发生的化学变化随着对这些固体做某种处理（如热处理或辐射处理）而部分或全部消失，并恢复母体化合物的形式的过程。固体物质在辐射作用下，其密度、杨氏模量、电阻率等物理性质的变化也有退火效应。
CAS号：
性质：固态母体化合物经核转变过程而发生的化学变化随着对这些固体做某种处理（如热处理或辐射处理）而部分或全部消失，并恢复母体化合物的形式的过程。固体物质在辐射作用下，其密度、杨氏模量、电阻率等物理性质的变化也有退火效应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条