1) tri-1H-inden-1-ylindium
三茚基铟
2) triethylindium
三乙基铟
1.
Determination of Elements in Triethylindium by Inductively Coupled Plasma Atomic Spectrometry;
三乙基铟中杂质元素的ICP─AES测定
2.
Tetraethyl bis(10 hydroxybenzo(h)quinolinato) diindium has been obtained by the reaction of benzo〔h〕quinolin 10 ol with triethylindium in benzene.
通过１０－羟基－苯并（ｈ）喹啉与三乙基铟在苯中反应，合成了二〔１０－羟基苯并（ｈ）喹啉〕·四乙基合二铟（Ⅲ）。
3.
The present with trimethylgallium(TMG), triethylindium(TEI) and AsH3(100%), PH3 (100) as group Ⅲ and group Ⅴ sources respectively the In1-xGaxAs/InP multiquantum trap structure matetsals, were grown by organometallic vapor epitaxy (MOVPE) technique at a low temperature and low pressure.
本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料。
4) triphenylindium
三苯基铟
5) tributylindane
三丁基铟
6) triindenyl samarium
三茚基钐
补充资料：三茚基铟
分子式：
CAS号：
性质：黏稠液体。常以乙醚络合物形式（C31H31InO）存在。由茚与甲基锂反应，产物与三氯化铟反应制得。
CAS号：
性质：黏稠液体。常以乙醚络合物形式（C31H31InO）存在。由茚与甲基锂反应，产物与三氯化铟反应制得。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条