1) high-purity triethylindium
高纯三乙基铟
2) high-purity trimethylindium
高纯三甲基铟
3) high-purity dimethylethylindium
高纯二甲基乙基铟
4) high-purity diethylmethylindium
高纯二乙基甲基铟
5) triethylindium
三乙基铟
1.
Determination of Elements in Triethylindium by Inductively Coupled Plasma Atomic Spectrometry;
三乙基铟中杂质元素的ICP─AES测定
2.
Tetraethyl bis(10 hydroxybenzo(h)quinolinato) diindium has been obtained by the reaction of benzo〔h〕quinolin 10 ol with triethylindium in benzene.
通过１０－羟基－苯并（ｈ）喹啉与三乙基铟在苯中反应，合成了二〔１０－羟基苯并（ｈ）喹啉〕·四乙基合二铟（Ⅲ）。
3.
The present with trimethylgallium(TMG), triethylindium(TEI) and AsH3(100%), PH3 (100) as group Ⅲ and group Ⅴ sources respectively the In1-xGaxAs/InP multiquantum trap structure matetsals, were grown by organometallic vapor epitaxy (MOVPE) technique at a low temperature and low pressure.
本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料。
6) triethenylindium
三乙烯基铟
补充资料：高纯三乙基铟
分子式：(C2H5)3In
CAS号：
性质：自燃性液体。熔点-32℃。沸点184℃。密度1.260g/cm3。纯度≥99.999％。对空气和水十分敏感。蒸气压为：15.96Pa(44℃)，159.6Pa(53℃)，热稳定性比三甲基铟差得多，在氢气为载气下超过40℃开始分解。为此通常应用在减压淀积系统，使用温度为35～40℃用氮气作为载气。利用格利雅反应制备，采用加合物法和减压精馏法提纯。主要用于沉积InP以及InGaAs，InGaAsP，InGaAlP。
CAS号：
性质：自燃性液体。熔点-32℃。沸点184℃。密度1.260g/cm3。纯度≥99.999％。对空气和水十分敏感。蒸气压为：15.96Pa(44℃)，159.6Pa(53℃)，热稳定性比三甲基铟差得多，在氢气为载气下超过40℃开始分解。为此通常应用在减压淀积系统，使用温度为35～40℃用氮气作为载气。利用格利雅反应制备，采用加合物法和减压精馏法提纯。主要用于沉积InP以及InGaAs，InGaAsP，InGaAlP。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条