2) high-purity trimethylindium
高纯三甲基铟
3) triethylindium
三乙基铟
1.
Determination of Elements in Triethylindium by Inductively Coupled Plasma Atomic Spectrometry;
三乙基铟中杂质元素的ICP─AES测定
2.
Tetraethyl bis(10 hydroxybenzo(h)quinolinato) diindium has been obtained by the reaction of benzo〔h〕quinolin 10 ol with triethylindium in benzene.
通过１０－羟基－苯并（ｈ）喹啉与三乙基铟在苯中反应，合成了二〔１０－羟基苯并（ｈ）喹啉〕·四乙基合二铟（Ⅲ）。
3.
The present with trimethylgallium(TMG), triethylindium(TEI) and AsH3(100%), PH3 (100) as group Ⅲ and group Ⅴ sources respectively the In1-xGaxAs/InP multiquantum trap structure matetsals, were grown by organometallic vapor epitaxy (MOVPE) technique at a low temperature and low pressure.
本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料。
4) tri-1H-inden-1-ylindium
三茚基铟
5) triphenylindium
三苯基铟
6) tributylindane
三丁基铟
补充资料：三甲基铟
分子式：[(CH3)3In]4
CAS号：
性质：无色晶体。易自燃。密度1.568g/cm3（19℃）。熔点88.0～89.8℃。沸点135.8℃。在真空中升华，蒸气呈单体。溶于乙醚、苯，在苯溶液中呈四聚体。遇冷水剧烈分解产生氢氧化甲基铟和甲烷。在-78℃缓慢氧化得二甲基铟氧化物和乙烷。与二甲醚、二甲硫醚、三甲基胺、三甲基膦、三甲基胂等生成1:1配位化合物。由金属铟与二甲基汞在少量汞存在下约100℃反应制得。高纯TMIn可由金属合金（如Mg5In2）与甲基卤化物（CH3I）反应，并精馏提纯而得。为MOVPE工艺用的有机金属源（MO源），也用于有机铟化合物合成。
CAS号：
性质：无色晶体。易自燃。密度1.568g/cm3（19℃）。熔点88.0～89.8℃。沸点135.8℃。在真空中升华，蒸气呈单体。溶于乙醚、苯，在苯溶液中呈四聚体。遇冷水剧烈分解产生氢氧化甲基铟和甲烷。在-78℃缓慢氧化得二甲基铟氧化物和乙烷。与二甲醚、二甲硫醚、三甲基胺、三甲基膦、三甲基胂等生成1:1配位化合物。由金属铟与二甲基汞在少量汞存在下约100℃反应制得。高纯TMIn可由金属合金（如Mg5In2）与甲基卤化物（CH3I）反应，并精馏提纯而得。为MOVPE工艺用的有机金属源（MO源），也用于有机铟化合物合成。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条