1) Si-C-H film
Si-C-H薄膜
1.
Si-C-H films,grown at 300 ℃ by rf plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) with hydrogen-diluted silane and methane mixture, was annealed at 650 ℃ in nitrogen atmosphere.
本实验采用射频PECVD方法以高氢稀释的SiH4和CH4混合气体,在300℃低温下生长出了Si-C-H薄膜,并对沉积的薄膜在N2氛围中进行了退火研究。
2) nc-Si∶H films
nc-Si∶H薄膜
4) α-C∶H films
α-C∶H薄膜
1.
The optical properties of α-C∶H films are investigated by UV-VIS spectrum in the range of 400～1 100 nm.
9999%的H2及反式-2-丁烯(T2B)为工作气体,利用低压等离子体增强化学气相沉积法制备了α-C∶H薄膜。
5) H/nc-Si composite film
H/nc-Si复合薄膜
6) Cr-Si-C-N film
Cr-Si-C-N薄膜
1.
In this paper,Cr-Si-C -N films were prepared by cathode arc ion deposition technique,in which tetramethylsilane(TMS) was used as Si and C sources,and their concentrations in the Cr-Si-C-N films can be controlled by TMS flow.
采用电弧离子反应沉积技术在SCM415渗碳淬火钢基片上沉积了Cr-Si-C-N薄膜,三甲基硅烷(TMS)反应气体作为Si和C掺杂源,通过改变TMS流量实现了薄膜中Si和C含量的调节。
补充资料：Al-Si cast aluminium alloy
分子式：
CAS号：
性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。
CAS号：
性质：以硅为主要合金元素的铸造铝合金。硅的添加量范围为5％～25％，并添加镁、铜等元素，形成亚共晶型、共晶型或过共晶型合金。含硅量为5％～13％的亚共晶型或共晶型合金是工业生产中应用最广泛的铸造铝合金。良好的铸造工艺性能和气密性是它们的主要特点。含硅量在13％以上的过共晶型合金具有热膨胀系数小、耐磨性好等特点。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条