1) silicon film anode
硅负极薄膜
2) tin thin film anode
锡薄膜负极
1.
Research statues quo of tin thin film anode materials for Li-ion batteries;
锂离子电池锡薄膜负极材料研究现状
3) Poly-Si thin films electrode
多晶硅薄膜电极
4) Sn-based thin film anode
Sn基薄膜负极
5) SiO 2 electret film
二氧化硅驻极体薄膜
6) silicon thin film
硅薄膜
1.
Stability of mixed phase silicon thin film material under light soaking;
相变域硅薄膜材料的光稳定性
2.
Different structural silicon thin films deposited by very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (VHF-PECVD) were studied at the use of purifier or not.
本文采用VHF PECVD技术制备了不同结构的硅薄膜 ,分析研究了有、无纯化器对制备薄膜特性的影响。
3.
Through scanning electronic microscopy(SEM) measurement,the morphologies of silicon thin film were investigated.
用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)系统在普通玻璃衬底上制备了氢化非晶硅薄膜(a-Si∶H),用改进的快速光热退火炉(RTP)对薄膜进行了低温下的退火处理。
补充资料：铬硅电阻薄膜
分子式：
CAS号：
性质：以铬和硅为主成分的薄膜高阻材料。具有电阻率高、稳定性好、电阻温度系数小等特点。控制硅化物结构，可得到各种电性能材料。如随铬增加，电阻率下降，电阻温度系数可从负数逐渐变到正值，一般方阻3～5kΩ，电阻温度系数(100～150)×10-6/℃。采用溅射、电子束蒸发、真空蒸镀等方法制取，主要用于制作薄膜混合集成电路中的薄膜电阻器。
CAS号：
性质：以铬和硅为主成分的薄膜高阻材料。具有电阻率高、稳定性好、电阻温度系数小等特点。控制硅化物结构，可得到各种电性能材料。如随铬增加，电阻率下降，电阻温度系数可从负数逐渐变到正值，一般方阻3～5kΩ，电阻温度系数(100～150)×10-6/℃。采用溅射、电子束蒸发、真空蒸镀等方法制取，主要用于制作薄膜混合集成电路中的薄膜电阻器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条