1) WO_3(V)thin films
脉冲准分子激光沉积(PLD)
2) Pulsed Laser Deposition(PLD)
脉冲激光沉积(PLD)
1.
Porous silicon(PS) samples with different porosities were prepared by electrochemical anodization method,and ZnS films were deposited on PS substrates by pulsed laser deposition(PLD).
用电化学阳极氧化法制备了不同孔隙率的多孔硅(PS)样品,然后用脉冲激光沉积(PLD)法在其表面生长ZnS薄膜,研究ZnS/PS复合体系的结构和发光特性。
3) Pulse laser deposition(PLD)
脉冲激光沉积(PLD)
4) pulsed laser deposition (PLD)
脉冲激光沉积(PLD)
5) PLD
脉冲激光沉积(PLD)
1.
Zinc oxide thin films were obtained on Si (111) substrate with growth temperature from 100 to 500 ℃ in O2 ambient by pulsed laser deposition(PLD) using a ZnO powder target.
通过脉冲激光沉积(PLD)方法,在O2中和100～500℃衬底温度下,用粉末靶在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜,在300℃温度下生长的薄膜在400～800℃温度和N2氛围中进行了退火处理,用X射线衍射(XRD)谱、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)谱表征薄膜的结构和光学特性。
6) pulsed excimer laser deposition
脉冲准分子激光沉积
补充资料：准分子激光器
分子式：
CAS号：
性质：用激基复合物为工作介质时得到的脉冲式相干辐射光源。更恰当的名称应当是激基复合物激光器。典型的激光介质有稀有气体的卤化物(如Xe-Cl，KrF等)。发射波长在紫外区。
CAS号：
性质：用激基复合物为工作介质时得到的脉冲式相干辐射光源。更恰当的名称应当是激基复合物激光器。典型的激光介质有稀有气体的卤化物(如Xe-Cl，KrF等)。发射波长在紫外区。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条