1) Undoped SI GaAs
不掺杂SI-GaAs
2) Undoped GaAs film
不掺杂GaAs膜
3) double layerd gated Si-δ-doped GaAs
带门极双层Si-δ-掺杂GaAs
4) GaAs doping
GaAs掺杂
5) MD-GaAs material
调制掺杂GaAs
6) Si-doped
Si掺杂
1.
Study of the Optical Properties of Si-doped Rutile TiO_2 by First-principles Theory
Si掺杂金红石TiO_2光学特性的第一性原理研究
2.
Si-doped AlxGa1-xAs layers were grown by gas source molecular beam epitaxy with a constant Si cell temperature for all samples.
为比较Al組份对Si掺杂浓度的影响,在用气态源分子束外延生长(GSMBE)掺Si n型AlxGa1-xAs(0≤x≤1)的所有样品时,n型掺杂剂Si炉的温度恒定不变。
3.
A series of Si-doped nanocrystalline titania powders were prepared by hydrothermal method using titanium tetrachloride(TiCl4) and sodium silicate(Na2SiO3) as precursors.
同时发现在Si掺杂的样品中有Ti-O-Si键的存在。
补充资料：GaAs epitaxial wafer
分子式：
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
CAS号：
性质：在特定晶向[(100)或(100)偏向最近<110>2 ～5 的晶面]砷化镓衬底上外延生长的单晶薄层材料外延工艺有LPE、VPE、MOCVD、MBE、CBE、ALE等工业选择取决于器件结构等因素，一般LPE、VPE多用于商品化器件，如光探测器、霍尔器件等。MBE、CBE、ALE多用于最子阱超晶格材料。MOCVD两方面兼而有之。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条