1) Si-doped Sb_2Te_3 film
Si掺杂Sb2Te3薄膜
1.
Study of Si-doped Sb_2Te_3 films for phase change memory;
采用磁控三靶(Si,Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb2Te3薄膜,作为对比,制备了Ge2Sb2Te5和Sb2Te3薄膜,并且采用微加工工艺制备了单元尺寸为10μm×10μm的存储器件原型来研究器件性能。
2) film doping
薄膜掺杂
3) doped ZnO thin film
掺杂ZnO薄膜
1.
Sb_2O_3-doped ZnO thin film was prepared by RF magnetron sputtering technique.
采用RF磁控溅射技术制备了Sb2O3掺杂ZnO薄膜,通过X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线衍射仪(XRD)和紫外-可见光(UV-Vis)分光光度计研究了Sb2O3对ZnO薄膜结构和光吸收性能的影响。
4) doped VO_2 thin films
掺杂VO2薄膜
5) the doped vanadium dioxide thin film
VO_2掺杂薄膜
6) SnO_2:In film
In掺杂SnO_2薄膜
补充资料：4,5-Dihydro-5-thioxo-1H-te
分子式 C3H4N4O2
分子量 160.16
CAS号 57658-36-3
5-巯基四唑乙酸为白色的结晶。易溶于乙酸乙酯,溶于水。不溶于氯仿。
用途;5-巯基四唑乙酸主要用于合成头孢雷特（Ceforanide）等。
分子量 160.16
CAS号 57658-36-3
5-巯基四唑乙酸为白色的结晶。易溶于乙酸乙酯,溶于水。不溶于氯仿。
用途;5-巯基四唑乙酸主要用于合成头孢雷特（Ceforanide）等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条