1) Ga_2O_3 films doped with Sn
掺锡的氧化镓薄膜
2) ITO thin film
掺锡氧化铟薄膜
3) gallium oxide thin film
氧化镓薄膜
1.
The influence of thermal annealing on the structural,electrical and optical properties of the gallium oxide thin film were investigated.
采用真空蒸发技术在蓝宝石衬底上制备了氧化镓透明半导体薄膜;研究了热退火对氧化镓薄膜结构、电学和光学等特性的影响。
4) antimony-doped tin oxide film
锑掺杂氧化锡薄膜
5) tin_doped indium oxide film
锡掺杂氧化铟薄膜
6) Indium Tin Oxide (ITO) thin film
掺锡氧化铟(ITO)薄膜
补充资料：氧化镓
氧化镓化学式Ga2O3，分子量187.44。白色三角形的结晶颗粒。有α型与β型之分。不溶于水。微溶于热酸或碱溶液。在氢气流中加热至红色即还原成一氧化镓。熔点1900℃(在600℃时转化为β型)。用做半导体材料、分析试剂。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条