1) Chemical beam epitaxy
化学束外延
2) MBE
[英][,em bi: 'i:] [美]['ɛm 'bi 'i]
分子束外延
1.
PHOTOLUMINESCENCE STUDY ON MBE LOW TEMPERATURE GROWN GaAs;
低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究
2.
Studies of MBE-Grown ZnS_xSe_(1-x) Films for Liquid-Crystal-Light-Valve;
分子束外延生长液晶光阀用ZnS_xSe_(1-x)薄膜的研究
3.
The Study of HgCdTe on Si by MBE;
Si基大面积碲镉汞分子束外延研究
3) molecular beam epitaxy
分子束外延
1.
Structure and properties of InGaP/GaAs epilayers grown by solid-source molecular beam epitaxy with a GaP decomposition source;
分解GaP源固态分子束外延生长InGaP/GaAs的结构和性能
2.
Photoluminescence study of (GaAs_(1-x)Sb_x In_yGa_(1-y)As)GaAs bilayer quantum well grown by molecular beam epitaxy;
分子束外延生长的(GaAs_(1-x)Sb_x In_yGa_(1-y)As)GaAs量子阱光致发光谱研究
3.
Study on ultrahigh carbon -doped p -t ype InGaAs grown by gas source molecular beam epitaxy;
气态源分子束外延生长重碳掺杂p型InGaAs研究
4) Molecular beam epitaxy(MBE)
分子束外延
1.
This paper describes the Molecular Beam Epitaxy(MBE)technology and its applications in large area homogeneous super thin epilayers growth.
本文阐述了分子束外延（ ＭＢＥ） 技术的特点以及在实现大面积均匀的超薄外延层生长中的应用。
2.
The use of reflection high-energy electron diffraction(RHEED) has been proven to be a powerful tool to understand growth mechanisms of GaSb by molecular beam epitaxy(MBE).
采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaSb薄膜时,利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控。
3.
In order to get better property quantum dots(QDs) with longer wavelength,better uniformity and higher luminous efficiency,three types of InAs/GaAs QDs were researched and fabricated on GaAs(100)substrates by molecular beam epitaxy(MBE)technology through the S-K strained self-assembled mode.
为了获得波长长、均匀性好和发光效率高的量子点,采用分子束外延(MBE)技术和S-K应变自组装模式,在GaAs(100)衬底上研究生长了三种InAs量子点。
5) molecular beam epitaxy (MBE)
分子束外延
1.
The use of reflection high-energy electron diffraction (RHEED) intensity oscillations has proven to be a powerful tool to understand growth mechanisms of GaAs, AlAs and AlGaAs in molecular beam epitaxy (MBE).
采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaAs,AlAs和AlGaAs时,实现RHEED图像和RHEED强度振荡的实时监测已被证明是一种有效工具。
2.
The designed 940 nm wavelength laser structure has been obtained by successful molecular beam epitaxy (MBE) growth w.
设计的激光器外延结构采用分子束外延 (MBE)方法生长 ,成功获得具有较低激射阈值的 94 0nm波长激光器外延片。
3.
3μm InAs/GaAs quantum dots (QDs) laser Diodes have been grown by molecular beam epitaxy (MBE).
用分子束外延(MBE)生长了含应力缓冲层的InAs量子点激光器。
6) ion beam epitaxy
离子束外延
1.
Electron spectroscopy is used tO analyze β-FeSi2, on Si substrate grown by low energy ion beam epitaxy (IBE) in all details, and to characterize its electron spectra.
用电子能谱分析方法对低能离子束外延（IBE）生长的β－FeSi2进行了详细研究，并对其电子能谱进行了表征。
补充资料：化学束外延
化学束外延
chemical beam epitaxy
20世纪80年代中期发展出来的。它综合了MBE的超高真空条件下的束外延可原位监测和MOCVD的气态源等优点。与CBE相关的还有气态源分子束外延(GSMBE)和金属有机化合物分子束外延(MOMBE)。它们间的主要区别是采用的气态源的情况不同。以nl-V族材料的生长为例，GSMBE是用气态的V族氢化物(A sH3、PH3等)取代MBE的固态As、P作源材料，AsH3、PH3等通过高温裂解形成砷、磷分子;MOMBE则是用111族金属有机化合物(TEGa、TMAI、TM玩等)作源材料，它们的气态分子经热分解形成Ga、Al、In等原子，CBE则是V族和m族源均采用上述的气态源。掺杂源可用固态，也可用气态。 CBE的生长过程是m族金属有机化合物分子射向加热的衬底表面、热分解成m族原子和碳氢分子根，再与经高温裂解后形成和到达衬底的V族原子反应，其生长速率取决于衬底温度和m族金属有机化合物分子的到达速率。 CBE采用质量流量计控制气源流量精确稳定，响应速度快，重复性好。CBE使用的几种m族潦和V族源都先分别混合，再输入生长室射向衬底表面，使外延层的厚度和组分的控制精度、界面陡变度、大面积均匀性和重复性等均优于MBE，并适于多片外延。CBE还可消除MBE因使用固态Ga源而产生的椭圆缺陷。CBE工作真空小于或等于10--‘托，气源可保持束特性、衬底表面附近没有粘滞层，避免了MOCVD反应管内影响外延层均匀性的“气体流型”问题和自掺杂效应。 利用CBE技术已制备出许多优质的半导体材料和器件，它特别适合于生长MBE难以生长的具有高蒸气压的磷化物材料。化学束外延InP、InGaAs为迄今所用各种外延方法制备的材料中性能为最好的，并已研制出一系列高性能的InGaAs(P)/I nP量子阱光电子器件。 (孔梅影)____‘1“、。:，am ePltaxy在分子束外延(MBE)和金属有机化合物气相沉积(M()CVD)基础上女巨翻亦的薪的栩右巨幼魁士琴姑安忿拐，产n”~
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条