1) chemical activated hot wall expitaxy method
化学促进热壁外延法
2) Hot Wall Epitaxy
热壁外延
1.
The CdTe/CdZnTe/Si thin film (Φ30mm) was grown with Hot Wall Epitaxy (HWE) technique.
用热壁外延法 (HWE)生长直径 30mm的CdTe/CdZnTe/Si薄膜 ,经XRD测试说明它是晶面为 (111)取向的立方闪锌矿结构。
2.
This paper reports the growth of GaAs layer on Si substrate by hot wall epitaxy (HWE).
报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在Si表面生长GaAs薄膜。
3.
GaAs polycrytalline thin films with good performance were prepared on conducting glass and Si by hot wall epitaxy (HWE) , which were suitable for solar cell .
本文介绍以Si和SnO_2／Glass两种材料为衬底，采用热壁外延的方法得到结构良好的，适合作GaAs太阳电池的GaAs多晶薄膜。
4) forwarding to promote teaching
促进教学法
5) enhancer
[英][ɪn'hɑ:nsə(r)] [美][ɪn'hænsɚ]
化学促进剂
1.
Interaction of four enhancers with the lipids of the mouse SC by ATR-FTIR;
化学促进剂与鼠角质层脂质相互作用的ATR-FTIR
6) thermodynamic promoter
热力学促进剂
补充资料：化学束外延
化学束外延
chemical beam epitaxy
20世纪80年代中期发展出来的。它综合了MBE的超高真空条件下的束外延可原位监测和MOCVD的气态源等优点。与CBE相关的还有气态源分子束外延(GSMBE)和金属有机化合物分子束外延(MOMBE)。它们间的主要区别是采用的气态源的情况不同。以nl-V族材料的生长为例，GSMBE是用气态的V族氢化物(A sH3、PH3等)取代MBE的固态As、P作源材料，AsH3、PH3等通过高温裂解形成砷、磷分子;MOMBE则是用111族金属有机化合物(TEGa、TMAI、TM玩等)作源材料，它们的气态分子经热分解形成Ga、Al、In等原子，CBE则是V族和m族源均采用上述的气态源。掺杂源可用固态，也可用气态。 CBE的生长过程是m族金属有机化合物分子射向加热的衬底表面、热分解成m族原子和碳氢分子根，再与经高温裂解后形成和到达衬底的V族原子反应，其生长速率取决于衬底温度和m族金属有机化合物分子的到达速率。 CBE采用质量流量计控制气源流量精确稳定，响应速度快，重复性好。CBE使用的几种m族潦和V族源都先分别混合，再输入生长室射向衬底表面，使外延层的厚度和组分的控制精度、界面陡变度、大面积均匀性和重复性等均优于MBE，并适于多片外延。CBE还可消除MBE因使用固态Ga源而产生的椭圆缺陷。CBE工作真空小于或等于10--‘托，气源可保持束特性、衬底表面附近没有粘滞层，避免了MOCVD反应管内影响外延层均匀性的“气体流型”问题和自掺杂效应。 利用CBE技术已制备出许多优质的半导体材料和器件，它特别适合于生长MBE难以生长的具有高蒸气压的磷化物材料。化学束外延InP、InGaAs为迄今所用各种外延方法制备的材料中性能为最好的，并已研制出一系列高性能的InGaAs(P)/I nP量子阱光电子器件。 (孔梅影)____‘1“、。:，am ePltaxy在分子束外延(MBE)和金属有机化合物气相沉积(M()CVD)基础上女巨翻亦的薪的栩右巨幼魁士琴姑安忿拐，产n”~
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条