2) room temperature magnetoresistance
室温磁电阻
1.
Electrical behavior and enhancement of room temperature magnetoresistance induced by the Cu doping in La_(0.67)Ba_(0.33)MnO_3;
La_(0.67)Ba_(0.33)MnO_3中Cu掺杂对电特性和室温磁电阻的影响
2.
The experiment also showed that doping W can gradually increase the room temperature magnetoresistance of the material.
05时,样品的室温磁电阻迅速上升,从4%增加到10。
3.
4 T,the room temperature magnetoresistance increases from 5% to 15% when 0≤x≤ 12.
5%时,样品的室温磁电阻值从5%增大到15%,提高了200%。
3) magnetoresistance effect
磁电阻效应
1.
Research of tunneling magnetoresistance effect in ferromagnet-nonmagnetic impurity-ferromagnet system;
铁磁-非磁性杂质-铁磁隧道结磁电阻效应
2.
Phase separation and colossal magnetoresistance effect in a small-world network;
小世界网络中的相分离和超大磁电阻效应
3.
Charge-ordering and magnetoresistance effect in the half-doped Pr_(0.5)Ca_(0.5)Mn_()1-xCr_xO_3 system;
半掺杂Pr_(0.5)Ca_(0.5)Mn_(1-x)Cr_xO_3体系的电荷有序和磁电阻效应
4) magnetoresistance
[mæɡ,ni:təuri'zistəns]
磁电阻效应
1.
Huge magnetoresistance effect of highly oriented pyrolytic graphite;
高度取向石墨的巨磁电阻效应
2.
Compared with the La 1- x K x MnO 3+ δ compound, a large characteristic low temperature magnetoresistance (MR) effect under a relatively lower magnetic field was observed in the polycrystalline two.
0 75 )钙钛矿材料 ,对比研究了两类化合物的结构、磁卡和磁电阻效应。
3.
The discovery of intergrain magnetoresistance in Sr 2FeMoO 6 as high as 10% at room temperature (300K), made a wide serial A 2B′B″O 6 double perovskite materials attracted considerable interests from both practical and theoretical fields.
室温下标准双钙钛矿型氧化物Sr2 FeMoO6中 ,10 %的隧穿型磁电阻现象的发现 ,使得这类A2 B′B″O6氧化物在磁电阻效应实用化研究的众多候选对象中脱颖而出 ,引起了人们相当大的关注。
5) room-temperature and low-field magnetoresistance
室温低场磁电阻
6) Low-field magnetic resistance at room temperature
低场室温磁电阻
补充资料：磁电阻效应
磁电阻效应
magneto-resistance effect
磁电阻效应magneto一resistanee effect强磁性、弱磁性金属和半导体材料的电阻率在磁场中产生的变化现象。简称磁阻效应。它是电流磁效应中的一种，与磁路中的磁阻不同。1856年W.汤姆孙(Thomson)首先发现金属的磁电阻效应。1930年L.W.舒布尼科夫(Shubnikov)和W.J.德哈斯(de Haas)发现金属秘(Bi)单晶体的电阻率在低温下随磁场变化时而发生振荡的现象。 磁电阻效应的产生，是由于磁场或磁有序状态改变了导体和半导体中载流子(电子和空穴)的散射情况，因而使电阻改变。广义的磁电阻效应有:①磁致电阻效应。又称汤姆孙效应。简称磁电阻效应、磁阻效应。②磁致电阻率振荡效应。常称舒布尼科夫一德哈斯效应。③磁致电阻率最小效应。又称近藤效应。磁(致)电阻效应表现在Fe、Ni等铁磁金属，在纵向(测电阻方向)磁化时，电阻率增加;在横向(垂直于测电阻方向)磁化时，电阻率减小。磁(致)电阻效应表现在Bi、Sb等抗磁性金属，则是在任何方向的磁场下，电阻率都增加，杂质对电阻率的影响显著。Bi的磁电阻效应最大，可用于测量磁场。钱普贝尔(Cham曲elD总结的实验性规律为:弱磁(抗磁和顺磁)性金属，不论在纵向或横向磁场中，磁电阻都增加，电阻增量约与磁场强度平方成正比;铁磁性金属，在纵向磁场中起初迅速增大，然后趋向饱和，但在横向磁场中，却是开始时缓慢减小，然后迅速减小，最后趋向饱和。 磁电阻效应已在磁记录头和磁传感器中得到应用。磁致电阻率振荡的舒布尼科夫一德哈斯效应，在低温强磁场情况下，在半金属和高g因数半导体(如Insb，1llAs)中特别显著，可用于研究能级结构和电子有效质量，还可研究一些物质的费米(Fermi)面。在电阻率温度关系中出现最小值的近藤效应，与固体中磁性掺杂和磁状态等密切相关，因而在磁学和固体理论研究中有重要应用。(李国栋)
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参考词条