1) InGaAs/InP detector
InGaAs/InP PIN光探测器
2) InGaAs/InP APD detector
InGaAs/InP雪崩光电二极管探测器
3) InGaAs/InP cells
InGaAs/InP电池
4) InP based InAlAs/InGaAs HEMT
InP基InAlAs/InGaAs HEMT
5) InGaAs detector
InGaAs探测器
1.
Design of low noise circuitry using InGaAs detector for spatial remote sensing
空间遥感用InGaAs探测器低噪声电路系统设计
2.
The calculated results show that the Auger recombination mechanism is suppressed by optimizing the material parameters and technologic condition,so that high detectivity could be obtained for InGaAs detector.
通过对InGaAs材料的俄歇(Auger)复合机制的理论分析,给出了少子寿命与材料组分、温度和载流子浓度的关系,从而得到材料参数等对InGaAs探测器的探测率影响的结果,优化材料参数和器件结构可抑制Auger复合机制,提高InGaAs探测器的探测率。
6) PIN photodetector
PIN光探测器
1.
Comparative study of two kinds of InGaAs/InP PIN photodetectors;
两种InGaAs/InP PIN光探测器比较研究
2.
An improved genetic algorithm was described for extracting PIN photodetector small signal equivalent model parameters and fitting measurement and simulation value of S21 and S22.
将改进的遗传算法用于PIN光探测器小信号等效电路模型参数的提取和优化中,实现PIN光探测器S21、S22参数的测量值与模拟值拟合。
3.
5 μm GaAs PHEMT process,which comprises a PIN photodetector and a distributed amplifier.
5μm GaAs PHEMT工艺,研制了一种PIN光探测器和分布放大器单片集成850nm光接收机前端。
补充资料：光探测器
利用光与物质的各种相互作用把光能转换为其他可感知量的各种器件的总称。按照所利用的相互作用区分，目前有三大类。
利用光子效应 光子效应种类很多。应用最广的有三种，即光电导、光生伏打效应和光电发射效应。前两种统称为内光电效应（见固态光电探测器），后一种称为外光电效应（见光电效应、光电管和光电倍增管）。此外尚有光电磁效应、丹培效应、光子牵引效应及定位相互作用（例如红外量子计数器、荧光屏及照相底片）等。
利用热效应 简称热探测器。它们基于辐射的加热效应引起的材料温度的变化及由此引起的材料特性的变化。其特点是灵敏度与波长无关，即无选择性；大多数响应速度慢，约在毫秒数量级。主要热效应有辐射热电导效应、热释电效应及温差电效应。其他尚有热磁效应、能斯脱效应及利用气体热膨胀效应的高莱管和充气电容微音器等。
利用波的相互作用 这类探测器利用入射辐射的电磁场与一个参考辐射的电磁场在光敏材料中的相互作用。主要有光学外差探测及光学参量效应。
光学外差探测利用一个频率与被测相干辐射的频率相近的参考激光辐射在探测元件（通常由光电导材料、光生伏打材料或光电发射材料制成）中与被测辐射混频而产生差频。光学外差探测只受到散粒噪声的限制，因而探测率比直接探测或零差探测高几个数量级。
参量效应可利用相干辐射在双折射晶体（例如 KDP、LiNbO3等）中的混频来增强被测弱信号或将其频率转换至容易探测的波段。例如人们可以利用 Ag3AsS3、HgS、Ag3SbS3及ZnGeP2等晶体及1.06μm的参考激光，通过上转换（和频）将10.6μm的辐射转换为可见光。
参考书目
R.J.Keyes,ed., Optical and InfRared Detectors,Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg,New York,1977.
利用光子效应 光子效应种类很多。应用最广的有三种，即光电导、光生伏打效应和光电发射效应。前两种统称为内光电效应（见固态光电探测器），后一种称为外光电效应（见光电效应、光电管和光电倍增管）。此外尚有光电磁效应、丹培效应、光子牵引效应及定位相互作用（例如红外量子计数器、荧光屏及照相底片）等。
利用热效应 简称热探测器。它们基于辐射的加热效应引起的材料温度的变化及由此引起的材料特性的变化。其特点是灵敏度与波长无关，即无选择性；大多数响应速度慢，约在毫秒数量级。主要热效应有辐射热电导效应、热释电效应及温差电效应。其他尚有热磁效应、能斯脱效应及利用气体热膨胀效应的高莱管和充气电容微音器等。
利用波的相互作用 这类探测器利用入射辐射的电磁场与一个参考辐射的电磁场在光敏材料中的相互作用。主要有光学外差探测及光学参量效应。
光学外差探测利用一个频率与被测相干辐射的频率相近的参考激光辐射在探测元件（通常由光电导材料、光生伏打材料或光电发射材料制成）中与被测辐射混频而产生差频。光学外差探测只受到散粒噪声的限制，因而探测率比直接探测或零差探测高几个数量级。
参量效应可利用相干辐射在双折射晶体（例如 KDP、LiNbO3等）中的混频来增强被测弱信号或将其频率转换至容易探测的波段。例如人们可以利用 Ag3AsS3、HgS、Ag3SbS3及ZnGeP2等晶体及1.06μm的参考激光，通过上转换（和频）将10.6μm的辐射转换为可见光。
参考书目
R.J.Keyes,ed., Optical and InfRared Detectors,Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg,New York,1977.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条