2) planar-type InGaAs infrared detector
平面InGaAs红外探测器
3) InGaAs detector
InGaAs探测器
1.
Design of low noise circuitry using InGaAs detector for spatial remote sensing
空间遥感用InGaAs探测器低噪声电路系统设计
2.
The calculated results show that the Auger recombination mechanism is suppressed by optimizing the material parameters and technologic condition,so that high detectivity could be obtained for InGaAs detector.
通过对InGaAs材料的俄歇(Auger)复合机制的理论分析,给出了少子寿命与材料组分、温度和载流子浓度的关系,从而得到材料参数等对InGaAs探测器的探测率影响的结果,优化材料参数和器件结构可抑制Auger复合机制,提高InGaAs探测器的探测率。
4) InGaAs four-quadrant photo-detector
InGaAs四象限探测器
1.
57 μm InGaAs four-quadrant photo-detector with double hetero-junction InP/InGaAs/InP is discussed.
57μmInGaAs四象限探测器。
5) InGaAs/InP detector
InGaAs/InP PIN光探测器
6) linear InGaAs sensor
线阵InGaAs探测器
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条