1) Si-PIN detector
Si-PIN探测器
1.
Development of a palm-size power supply system for thermo-electrically cooled Si-PIN detector;
用于电致冷Si-PIN探测器的掌上型电源系统的研制
2.
Using Monte-Carlo method we have calculated the gamma-ray sensitivity of a newly developed cascading Si-PIN detector.
结果表明,层叠式Si-PIN伽玛探测器相对于单个的Si-PIN探测器具有更高的灵敏度,而且伽玛灵敏度与每层间的聚四氟乙烯片的厚度有关。
3.
Development of portable X-ray fluorescence spectrometer using SI-PIN detector and Its in stream sediments & soil samples applications .
分析仪器小型化、现场化、瞬间化、智能化是未来地质调查重要支撑技术,本研究采用新型SI-PIN探测器,研制了便携式X荧光分析仪,并且对地质土壤、水系列沉积物样品中钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、铷、锶、钇、锆、铌、铅等多种元素进行了分析应用研究,文中介绍了该仪器主要技术指标和性能以及软件功能,给出了分析方法的选择条件、干扰和校正、漂移校正方法,该法具有仪器体积小、重量轻、方法经济、简单快速的特点,在我国工矿企业的现场分析工作中有良好的应用前景。
2) Si-PIN semiconductor detector
Si-PIN半导体探测器
3) PIN detector
PIN探测器
1.
Impact of electron-escaping effect on the γ-ray sensitivity of PIN detector;
电子逃逸效应对PIN探测器γ灵敏度的影响
2.
The γ and neutron compensation effect measurement of combination PIN detector;
组合PIN探测器对γ、中子脉冲辐射补偿效果研究
3.
The measurement ofφ60mm×600μm silicon PIN detector γ sensitivity and time respond;
φ60mm×600μm硅PIN探测器γ灵敏度和时间响应测量
4) PIN detectors
PIN探测器
1.
High-sensitivity large-area Si PIN detectors array;
高灵敏大面积硅PIN探测器阵列
2.
80mm×800μm PIN new type array detector is developed by using the method of making several single PIN detectors together form array.
研究并采用增加灵敏体积的方法,研制出60mm×600μmPIN探测器,成功实现了探测器灵敏度要求为10-15~10-16C·cm2/MeV范围的辐射测量;研究并采用将数个PIN探测器串接起来形成阵列的方法,已研制出80mm×800μmPIN新型阵列探测器,成功使探测器灵敏度调节范围达到10-14~10-15C·cm2/MeV。
5) PIN photodetector
PIN光探测器
1.
Comparative study of two kinds of InGaAs/InP PIN photodetectors;
两种InGaAs/InP PIN光探测器比较研究
2.
An improved genetic algorithm was described for extracting PIN photodetector small signal equivalent model parameters and fitting measurement and simulation value of S21 and S22.
将改进的遗传算法用于PIN光探测器小信号等效电路模型参数的提取和优化中,实现PIN光探测器S21、S22参数的测量值与模拟值拟合。
3.
5 μm GaAs PHEMT process,which comprises a PIN photodetector and a distributed amplifier.
5μm GaAs PHEMT工艺,研制了一种PIN光探测器和分布放大器单片集成850nm光接收机前端。
6) Si Detector
Si探测器
1.
The fabrication technology and performances of a thick depletion layer Si detector with pile-up structure besed on planar technology and ion implanted technique were described.
本文描述了一种具叠层结构基于平面工艺技术的厚耗尽层Si探测器的制备技术和性能测试结果。
补充资料：Si传感器
在拍摄中，数码相机可以判断水平或者是垂直方向拍摄照片，确保在各种方向拍摄时，自动对焦，自动曝光和自动白平衡的精度。在相机的lcd上播放照片时，也可以将竖直方向拍摄的照片旋转为与用户一致的方向。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条