1) channel modulation
沟道调制
2) channel-modulation parameter
沟道调制系数
3) groove
沟道
1.
Effect factors analysis of surface roughness of bearing ring groove;
轴承套圈沟道表面粗糙度影响因素分析
4) grooved raceway
沟道
1.
Improvement of implement of lapping machining with grooved raceway of ball bearing;
球轴承沟道精研机工装改进
2.
Super-finishing method on grooved raceway of angular contact ball bearing with two-piece ring;
双半套圈角接触球轴承沟道超精加工方法的研究
3.
Analysis of grinding method of ball bearing grooved raceway;
球轴承沟道磨削方法的分析
5) raceway
沟道
1.
Machining raceway of outer ring with reformed M2110A;
M2110A改装加工外圈沟道
2.
The optimizing design of lemon form raceway has been made and constrain condition of raceway and contact pressure angle has been determined by mathematics analysis,the two main parameters of similar coefficient C p and load rating k have been determined by calculating contact stress.
用数学分析方法对柠檬式沟道进行优化设计 ,确定沟道和接触压力角的约束条件 ,通过计算接触应力确定等速万向节的两个重要承载参数 :相似系数Cp 和比载荷k ,并对万向节的使用寿命进行比较计算 ,证明柠檬式沟道万向节具有较高的承载能力 ,可提高万向节的使用寿
3.
When turning the double raceways of 3200ATN series bearing inner ring, because of the influence of ID verticality, the wall thickness difference of the second raceway has outrun the technology request.
3200ATN系列轴承内套双沟车削加工时,由于内径垂直度的影响,造成第二沟道壁厚差超出工艺要求。
6) channel
沟道
1.
A Simulated Study about Runoffand Sediment Transportation on Channel of Loess Plateau Small Watershed;
黄土高原小流域沟道水沙运移模拟试验研究
2.
The distribution of the high electric field and each parameter influencing the electric field are analyzed,two principles of designing the channel are proposed——lengthening the channel while lowering its impurity concentration.
分析了沟道高电场分布产生原因及各个参数对高电场的影响 ,提出了两条沟道设计的原则——拉长沟道同时降低沟道浓度 。
3.
The physical properties of two dimensional electron gas in the quantum well of the GaAs channel layer for AlGaAs/GaAs HEMT were discussed by using the two dimensional numerical simulation.
建立了高电子迁移晶体管（ＨＥＭＴ）的二维数值模型，并用二维数值模拟的方法讨论了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ中的ＧａＡｓ沟道层量子阱中二维电子气的物理性质。
参考词条
补充资料：N沟道金属-氧化物-半导体集成电路
以 N沟道 MOS场效应晶体管为基本元件的集成电路，简称NMOS。NMOS电路于1972年才研制成功。NMOS电路发展的主要困难，是在普通的工艺条件下NMOS电路所用的衬底材料P型硅表面容易自然反型或接近反型,因而难以制成作为开关元件的增强型MOS晶体管,而且元件之间也不易隔离。NMOS电路工艺比PMOS电路（见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路工艺复杂。一般情况下,NMOS电路采用性能良好的硅栅结构(见图)。衬底是轻掺杂的P型硅,栅的材料为多晶硅。一条多晶硅栅及其左右两个N型扩散区连同衬底组成一个N沟道 MOS晶体管。硅栅MOS结构中,铝线扩散线和多晶硅线均能作为内部联线，所以有三层布线。铝线同多晶硅线，铝线同扩散线可以交叉（如图左右两侧）。
NMOS工艺的特点是：①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准，以减小寄生电容；②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉，既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度，又能降低片子表面台阶的高度，防止铝层断裂；③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位，使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍，NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电，且N沟道MOS晶体管阈值电压较低，所以NMOS电路可与TTL电路（见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容，而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快，其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
参考书目
Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak－Sharpe,Integrated Circuit
Engineering Design,Fabrication and Applications，1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
NMOS工艺的特点是：①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准，以减小寄生电容；②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉，既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度，又能降低片子表面台阶的高度，防止铝层断裂；③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位，使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍，NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电，且N沟道MOS晶体管阈值电压较低，所以NMOS电路可与TTL电路（见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容，而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快，其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
参考书目
Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak－Sharpe,Integrated Circuit
Engineering Design,Fabrication and Applications，1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
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