2) braid canal
辫状沟道
3) trench shape
管沟形状
1.
At present,trench shape and size,the two factors having the most direct and economical influences on pipeline strain,have not been studied yet.
目前,在埋地天然气管线抗震安全性研究方面,对管道应变影响最直接、最经济有效的管沟形状和尺寸这两个因素还没有予以研究。
4) toothed channel
"锯齿形"沟道
1.
Every tooth can be taken as an isosceles triangle and the toothed channel is composed of the n/2-triangles.
指出了沿生长方向的超晶格沟道不再是直的,而是“锯齿形”形的,对于n层等厚薄膜组成的起晶格,每一个锯齿都可视为一个等腰三角形,而“锯齿形”沟道则由n/2个三角形串联而成。
5) channel porosity
沟道形气孔
6) weld appearance shape
焊道形状
补充资料:N沟道金属-氧化物-半导体集成电路
以 N沟道 MOS场效应晶体管为基本元件的集成电路,简称NMOS。NMOS电路于1972年才研制成功。NMOS电路发展的主要困难,是在普通的工艺条件下NMOS电路所用的衬底材料P型硅表面容易自然反型或接近反型,因而难以制成作为开关元件的增强型MOS晶体管,而且元件之间也不易隔离。NMOS电路工艺比PMOS电路(见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路工艺复杂。一般情况下,NMOS电路采用性能良好的硅栅结构(见图)。衬底是轻掺杂的P型硅,栅的材料为多晶硅。一条多晶硅栅及其左右两个N型扩散区连同衬底组成一个N沟道 MOS晶体管。硅栅MOS结构中,铝线扩散线和多晶硅线均能作为内部联线,所以有三层布线。铝线同多晶硅线,铝线同扩散线可以交叉(如图左右两侧)。
NMOS工艺的特点是:①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准,以减小寄生电容;②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉,既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度,又能降低片子表面台阶的高度,防止铝层断裂;③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位,使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍,NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电,且N沟道MOS晶体管阈值电压较低,所以NMOS电路可与TTL电路(见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容,而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快,其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
参考书目
Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak-Sharpe,Integrated Circuit
Engineering Design,Fabrication and Applications,1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
NMOS工艺的特点是:①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准,以减小寄生电容;②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉,既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度,又能降低片子表面台阶的高度,防止铝层断裂;③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位,使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍,NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电,且N沟道MOS晶体管阈值电压较低,所以NMOS电路可与TTL电路(见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容,而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快,其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
参考书目
Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak-Sharpe,Integrated Circuit
Engineering Design,Fabrication and Applications,1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
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