2) Nonlinear frequency conversion
非线性频率变换
1.
Laser technique experiment based on nonlinear frequency conversion
基于非线性频率变换的激光技术实验
3) non-linear transformation
非线性变换
1.
Approximating statistics of stochastic variables after non-linear transformation with high-accuracy;
随机变量非线性变换统计性质的高精度逼近算法
2.
Through encoding algorithm and on the basis of the numeralization of chaos random sequence,a new non-linear transformation algorithm is introduced in order to resist various attacks of the chaotic stream cipher system.
通过编码算法以及在混沌随机序列数字化的基础上引入一种新的非线性变换算法,以抵抗对混沌流密码系统的各种攻击。
4) Nonlinear transform
非线性变换
1.
A modulation scheme recognition arithmetic based on nonlinear transform and BP neural network;
一种基于BP网的非线性变换信号模式识别算法
2.
Especially,for the nonlinearity of the resistive heater,an inverse nonlinear transform was introduced to change the controller design to a problem of linear s.
在控制器设计中,针对电阻式加热器的非线性温升特性,采用静态非线性变换将温度控制器设计转变为线性系统的控制问题,并设计最优控制器。
3.
In this paper,one new nonlinear transform is constructed according to homogeneous balance,and it was used to solve Burgers equation.
利用齐次平衡原则,构造了一类新形式非线性变换并将这种变换应用于Burgers方程,可求出包括该方程的精确孤波解在内的众多其他形式的精确解。
5) nonlinear transformation
非线性变换
1.
Adaptation for graphical representation based on nonlinear transformation;
基于非线性变换的图表示优化
2.
Color image edge detection method based on nonlinear transformation in color space;
基于色彩空间非线性变换的彩色图像边缘检测
3.
Using the intrinsic relation between Fibonacci Q and Arnold transformation, a new nonlinear transformation, named A F transformation, is defined.
利用 Fibonacci- Q变换与 Arnold变换之间的内在关系 ,定义了一种新的非线性变换—— A- F变换 ,同时对其变换周期及其逆变换周期进行了研究 ;也给出了这两类变换周期的简洁算法 。
6) Non linear transformation
非线性变换
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条