1) Si and GaN
Si和GaN
2) Si and Mn co-doped GaN
Si和Mn共掺GaN
1.
First principle study of Mg,Si and Mn co-doped GaN
第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN
3) GaN/Si
Si基GaN
1.
Fabrication of GaN/Si photoconductive detectors;
采用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长GaN薄膜，以此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器。
4) Si basedn-GaN
Si基n-GaN
5) Si doped GaN
Si掺杂GaN
6) GaN/Si(001) interface
GaN/Si(001)界面
补充资料：gallium nitride GaN
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条