1) poly-GaN
多晶GaN
1.
First,the poly-GaN films are prepared by MOCVD method and the preparation parameters were obtained.
本文通过MOCVD方法制备了多晶GaN薄膜,并且得出了我们MOCVD系统生长多晶GaN薄膜的优化生长条件,较系统地分析了不同生长条件与退火工艺对样品结构组分,表面形貌,电学特性与发光特性的影响,并给出了相关解释。
2) GaN particles
GaN晶粒
3) GaN
[英][ɡæn] [美][gæn]
GaN晶体膜
1.
Electron Microscope Analysis of the Quality of GaN Films Deposited on Ga-diffused Si (1 1 1) Substrates;
扩镓硅基GaN晶体膜质量的电镜分析
2.
X-ray Diffraction Analysis of GaN Films Deposited on Ga-diffused Si (111) Substrates;
不同条件对扩镓硅基GaN晶体膜质量影响的XRD分析
3.
The Investigation of GaN Films Grown on Si Substrates by Hot-Wall Chemical Vapor Deposition;
热壁化学气相沉积Si基GaN晶体膜的研究
4) GaN crystalline stick
GaN晶体棒
6) GaN/AlN superlattice
GaN/AlN超晶格
补充资料：多晶莫来石晶须(纤维)
分子式：
CAS号：
性质：莫来石相为主晶相的多晶纤维。化学成分为Al2O3 72％～77％，SiO222％～17％，B2O3 3％～5％，P2O51.5％～3.0％。纤维直径2～7μm，纤维长度20～125μm。使用温度1350℃。多采用溶胶-凝胶法制造。主要用作补强填料，也可作为轻质、隔热保温材料使用。
CAS号：
性质：莫来石相为主晶相的多晶纤维。化学成分为Al2O3 72％～77％，SiO222％～17％，B2O3 3％～5％，P2O51.5％～3.0％。纤维直径2～7μm，纤维长度20～125μm。使用温度1350℃。多采用溶胶-凝胶法制造。主要用作补强填料，也可作为轻质、隔热保温材料使用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条