1) nonlinear wind
非线性风场
2) non linear field
非线性场
1.
The paper reports analytic expressions on the electric potential and field lines,and the non linear field expressions derived from the potential function.
研究了储存环圆真空盒中单根直导线结构清洗电极的一种电磁场形态，将此电磁场求解归纳为非轴对称双圆柱面边界的边值问题；推导了边界内电场势函数和力函数的解析表达式，以及非线性场表达式；指出该电场场强的四极、六极、八极分量在径向水平面有正负号改变特
4) nonlinear wind induced vibration
非线性风振
1.
Directly using pressure data of the wind tunnel test, the static wind effect and nonlinear wind induced vibration of the membrane structure canopy were analyzed in detail.
结合秦皇岛体育场膜结构挑篷的风洞试验研究,以挑篷上的典型膜面的风荷载特性和风荷载响应为研究对象,直接采用风洞试验测量所得到的风荷载数据,对膜面进行了详尽的静力风荷载响应分析和非线性风振响应分析;试验结果分析表明,挑篷前缘膜面的负压风荷载数值最大,是膜结构挑篷设计的控制荷载。
2.
Based on the second development of the ANSYS software, a method to calculate nonlinear wind induced vibration response which fits the stadium grandstand cable stayed canopy roof structure is developed in this paper.
本文在尝试对ANSYS软件进行二次开发的基础上 ,发展了一种适合体育场主看台斜拉索挑篷结构非线性风振响应计算分析的方法 ,同时也比较了非线性问题对这类挑篷结构风致振动的影响 ,得出了一些有参考价值的结
5) static wind nonlinearity
静风非线性
1.
The analysis model for static wind nonlinearity of single cable plane cable-stayed bridge is established, taking comprehensive account of influences of the static wind load nonlinearity, geometric nonlinearity and also wind speed changes along the bridge structure height.
综合考虑静风荷载非线性和结构几何非线性因素的影响,计及风速沿桥梁结构高度的变化,建立了单索面斜拉桥静风非线性的分析模型。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条