1) static wind load nonlinearity
静风荷载非线性
1.
Finally, the effects of geometrical nonlinearity, material nonlinearity and static wind load nonlinearity on th.
针对现有的桥梁静风稳定分析方法中存在的问题 ,提出了增量与内外两重迭代相结合的新方法 ,并且考虑了结构几何、材料和静风荷载非线性。
2) static wind nonlinearity
静风非线性
1.
The analysis model for static wind nonlinearity of single cable plane cable-stayed bridge is established, taking comprehensive account of influences of the static wind load nonlinearity, geometric nonlinearity and also wind speed changes along the bridge structure height.
综合考虑静风荷载非线性和结构几何非线性因素的影响,计及风速沿桥梁结构高度的变化,建立了单索面斜拉桥静风非线性的分析模型。
4) static wind load
静风荷载
1.
Research of the dynamic behavior of long span suspension bridges under static wind load;
大跨度悬索桥在静风荷载下的动力特性研究
2.
With comprehensive consideration of the nonlinearity of the structural geometry and static wind load,the nonlinear aerostatic stability theory for long-span bridges and the incremental double iteration method were used to analyze the nonlinear aerostatic stability for long-span cable-stayed bridges and the related calculation program was compiled.
在综合考虑结构几何非线性和静风荷载非线性的基础上,引用大跨度桥梁非线性静风稳定分析理论,采用增量双重迭代搜索法对大跨度斜拉桥进行了非线性静风稳定分析,并编制了相应的计算程序。
5) nonlinear thermal load
非线性温度荷载
6) nonlinear wave loads
非线性波浪载荷
1.
Accumulated damage calculation for ship hull of overalllongitudinal bending including combined stress andnonlinear wave loads;
在非线性波浪载荷作用下计及多种应力组合时船体总纵弯曲累积损伤计算
2.
In this paper,some aspects such as the nonlinear wave loads,torsion strength,fatigue damage,in the container ships direct calculation are systematically studied.
本论文针对集装箱船结构直接设计中所涉及的非线性波浪载荷疲劳损伤问题从理论方法、计算和应用等方面开展研究。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条