1) nonlinear temperature field
非线性温度场
1.
Adopted technique of temperature field and stress field accouplement,it analyzed the thermal stress under the effect of linear temperature field in winter and nonlinear temperature field in summer based the design data of a natural draft cooling tower and the 3D FEM.
根据某逆流(3D FEM)式自然通风冷却塔的设计资料,按照三维有限元计算理论,采用热-力耦合场分析技术,计算冬季运行工况下由线性温度场引起的温度应力和夏季日照工况下由非线性温度场引起的温度应力,可为冷却塔的设计提供参考依据。
2) nonlinear transient temperature field
非线性瞬态温度场
1.
Material model of subway brake resistance chips and FEM analysis model of nonlinear transient temperature field were established by considering the influence of the temperature on thermal physical property parameters of the metal material.
考虑温度对金属材料热物理性能的影响 ,建立了地铁制动电阻片的材料模型及非线性瞬态温度场的有限元分析模型。
3) nonlinear numeric analysis of temperature
非线性温度场数值分析
4) nonlinear temperature
非线性温度
1.
An analytical solution of thermal stress in concrete pavement subjected to a nonlinear temperature distribution is presented.
给出了一种早龄期混凝土路面板非线性温度场下温度应力的解析计算方法。
2.
Based on the theoretically analysis and induction, aimed at developing and perfecting the software ,this paper expands three modules to the bridge design software Bridge Master which is under developing--nonlinear temperature stress analysis model, engineering central data base management system model and part of post-processing model.
本文以理论归纳分析为基础，以软件开发完善为目的，对课题组正在开发的桥梁设计软件Bridge Master扩充完善了三大模块——使用阶段非线性温度计算模块、工程核心数据库模块及部分系统后处理模块。
5) nonlinear thermal gradient
非线性温度梯度
6) nonlinear thermal load
非线性温度荷载
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条