1) VDSM MOSFET device reliability
超深亚微米MOSFET可靠性
3) VDSM
超深亚微米
1.
Antenna Effect in VDSM IC Design;
超深亚微米IC设计中的天线效应
2.
A Fast Algorithm of Imaging for Simulation of Photolithographic Process in VDSM;
一种超深亚微米下IC光刻透射成像的快速算法
3.
The Physical Design Solution for Million-Gate SoC Under VDSM;
超深亚微米下百万门级系统级芯片的物理设计方案
4) UDSM
超深亚微米
1.
Fast Solver for Power Grid Node Voltage in UDSM;
超深亚微米下快速电源网格节点电压求解器
2.
Research of Signal Integrity Based on UDSM IC Design;
基于超深亚微米IC设计的信号完整性研究
3.
Crosstalk and Its Avoidance in UDSM;
超深亚微米设计中串扰的影响及避免
6) Ultra Deep Sub-Micron(UDSM)
超深亚微米(UDSM)
补充资料：可靠性
可靠性
reliability
是指试验在相同条件下重复试验获得相同结果的稳定程度。影响试验可靠性的因素有：①个体本身的变异(真的或生物变异)；②试验方法或仪器本身的变异；③观察变异包括观察者内的变异与不同观察者间的变异。影响可靠性的因素很多，在开展工作前必须注意试验方法的可靠性，包括测量条件的规定、试验方法的标准化及培训试验人员等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条