2) nonlinear time-history analysis
非线性时程分析
1.
Calculation results of the nonlinear time-history analysis by SAP2000N software show that,the frame-shear wall and energy-dissipation braces structure system can satisfy the requirements of "Code for .
以地处地震高烈度区的宿迁建设大厦为例,在传统的框架-抗震墙结构体系的基础上设置局部消能支撑,进行了结构非线性时程分析,对消能装置的数量及布置进行了优化,分析结果表明,框架-抗震墙结构+局部消能减震支撑在多遇地震作用下的层间位移能满足《建筑抗震设计规范》要求,在罕遇地震作用下具有更高的安全储备,表现出良好的抗震性能。
2.
Calculation results of the nonlinear time-history analysis by SAP2000N so.
采用消能减震支撑框架结构体系代替传统的框架—抗震墙结构体系,进行了结构非线性时程分析,对消能装置的数量及布置进行了优化。
3.
In connection with a RC high-rise building, a 3-D finite-element model is used in nonlinear time-history analysis.
采用有限元模型,对某钢筋混凝土高层建筑进行非线性时程分析,分别计算了基础固定模型和基础隔震模型的结构自振特性、地震记录下的非线性特性等。
3) nonlinear time history analysis
非线性时程分析
1.
Then with the method of nonlinear time history analysis,the characteristic of a ten-story concrete frame under near-field grounds motions is studied.
首先讨论了近场地面运动的特征及各种抗震规范对近场地震的设防,然后采用非线性时程分析方法,对一个10层框架结构在近场地震作用下的响应特性进行了研究。
2.
A nonlinear time history analysis of a base-isolated masonry structure with two-story frame structure on bottom modeled as a two-dimensional finite element model is made.
本文基于有限元理论,采用大型有限元分析软件SAP2000 Non linear建立了底部两层框架上部砌体非隔震结构和基础隔震结构的实体模型,并采用非线性时程分析法对此模型进行了两个水平向地震作用的分析。
3.
In the end,comparison between nonlinear time history analysis and pushover analysis using three lateral load patterns is undertaken.
本文介绍了pushover分析的基本原理和实施pushover分析的关键问题,最后选用三种水平荷载模式和非线性时程分析进行了比较。
5) inelastic dynamic history analysis
非线性时程反应
1.
The target displacements of four middle and low frame concrete structures in different types of site estimated by improved capacity spectrum method and inelastic dynamic history analysis are compared and analyzed.
本文阐述了Pushover分析中改进能力谱方法的概念和实施步骤;对不同场地条件下四个中、低层框架结构采用改进能力谱方法估计的目标位移和非线性时程反应分析结果进行了比较,分析,并提供了不同场地条件下两种方法的相对误差,为该方法的实际应用提供了一些参考依据。
6) Nonlinear delay equation
非线性时滞方程
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条