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1)  boron-doped
硼掺杂
1.
Recent progress in research on the electrochemical properties of highly boron-doped diamond electrodes is reviewed.
概述了高硼掺杂金刚石膜电极的电化学研究的最新进展 ,介绍了高硼掺杂金刚石膜电极的制备、金刚石膜电极在水介质中的电化学行为、金刚石膜电极在废水处理、微量有机化合物成分探测和蜂窝状金刚石电极双电层电容器方面的应
2.
Boron-Doped Diamond (BDD) film of deposition is discussed.
主要介绍硼掺杂金刚石膜的生长。
3.
Using the boron-doped diamond film electrode as anode in the electrolyte,by the control some relatively conditions,it could generate large amounts of hydroxyl radicals and other powerful oxidant,which led to a very effective oxidation process,decomposed the organic contamination to little molecule,even CO2 and H2O.
利用硼掺杂金刚石膜电极在电解液中作阳极,通过控制各种相关条件使电解液中产生大量氢氧自由基和其他强氧化物质,将有机污染物氧化分解成小分子,甚至是CO2和H2O;同时配合专用清洗剂,极好地去除材料表面及狭缝中的固体颗粒和金属杂质,有效实现了被清洗表面的高度洁净化。
2)  boron-doping
硼掺杂
1.
Effects of boron-doping on the morphology and magnetic property of carbon nanotubes;
硼掺杂对碳纳米管形貌和磁性能的影响
3)  boron doping
硼掺杂
1.
The influence of boron doping on growth characteristic of diamond films was investigated by plasma optical emission spectroscope,scanning electron microscope(SEM),Raman spectroscope,and X-ray diffraction(XRD).
采用直流热阴极CVD法以B(OCH3)3为掺杂剂制备了硼掺杂金刚石薄膜,利用等离子体发射光谱、SEM、Ram an和XRD研究了硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响,通过与未掺杂金刚石薄膜的对比发现:在直流热阴极CVD系统中,低浓度硼掺杂条件下能够长时间维持稳定的辉光放电。
4)  boron-doped content
硼掺杂量
1.
Relationship between boron-doped content and single polarization single mode band-width of W-tunneling optical fiber is analysed.
分析了W 型单模单偏振光纤中 ,椭圆内包层硼掺杂量与单模单偏振带宽的关系 ,得出了长W 型单模单偏振光纤的带宽与内包层硼掺杂量的大小无关 ,它只由光纤几何结构以及内包层折射率深度确定 ,而对于短W 型单模单偏振光纤 ,硼掺杂量的增加可以增大截止基模能量损耗 ,从而适度提高其消光比和有效带宽。
5)  Boron-or nitrogen-doped
硼、氮掺杂
6)  (B,Si)dopant
硼硅掺杂
补充资料:掺杂铕的硼锶氧化物
CAS:71786-49-7
中文名称:掺杂铕的硼锶氧化物
英文名称:Boron strontium oxide, europium-doped;boric acid , strontium salt, europium-doped;boric acid , strontium salt,europium-doped;Boron strontium oxide,europium-doped
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条